[发明专利]鳍片高度的确定方法、装置、系统、设备以及介质

说明书

本发明提供了一种鳍片高度的确定方法、装置、系统、设备以及介质，其中鳍片高度的确定方法，包括：获取第一栅极结构的第一电阻信息，以及第二栅极结构的第二电阻信息，所述第一栅极结构设于对应的隔离层与鳍片上，所述第二栅极结构设于对应的隔离层上；所述第一栅极结构与所述第二栅极结构的电阻率均为目标电阻率，且所述第一栅极结构与所述第二栅极结构相对于对应隔离层的高度相同；根据所述第一电阻信息与所述第二电阻信息，确定所述第一栅极结构中鳍片的高度；测量结构简单，且测量方便；同时，电阻信息的测量可以覆盖单个晶体管或多个晶体管，进而可提供多组数据范围帮助后续数据分析；测得的电阻信息可帮助筛选出不良品。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种鳍片高度的确定方法、装置、系统、设备以及介质。

背景技术

在制造鳍式场效应晶体管(FinFET)中，常常需要提取鳍片高度。鳍片高度是下游处理的一个关键贡献因素，它可能会影响器件参数，包括关态电流(Ioff)、短通道效应、性能，以及缺陷，如栅极底部轮廓、金属氧化物与栅极之间的泄漏、外延层(epi)生长均匀性、金属氧化物与外延层之间的接触电阻。鳍片越高，通过晶体管的电流就会越大，当鳍片达到一定高度，晶体管就会因为电流过大，容易发生断裂，而鳍片过低，流过晶体管的电流就会不足。

通常，测量鳍片高度采用光学临界尺寸(optical critical dimension,OCD)模型。但由于测量工具的容量和FinFET复杂的三维结构，OCD的在线测量面临精度和速度的挑战，而且OCD只能测量晶圆的部分位置，不能测量整个模具。

发明内容

本发明提供一种鳍片高度的确定方法、装置、系统、设备以及介质，以解决鳍片高度测量不精确的问题。

根据本发明的第一方面，提供了一种鳍片高度的确定方法，包括：

获取第一栅极结构的第一电阻信息，以及第二栅极结构的第二电阻信息，所述第一栅极结构设于对应的隔离层与鳍片上，所述第二栅极结构设于对应的隔离层上；所述第一栅极结构与所述第二栅极结构的电阻率均为目标电阻率，且所述第一栅极结构与所述第二栅极结构相对于对应隔离层的高度相同；

根据所述第一电阻信息与所述第二电阻信息，确定所述第一栅极结构中鳍片的高度。

可选的，所述第一栅极结构包括所述鳍片上的第一栅极部分与所述隔离层上的第二栅极部分；

根据所述第一电阻信息与所述第二电阻信息，确定所述第一栅极结构中鳍片的高度，包括：

根据所述第一电阻信息、所述第二电阻信息、所述目标电阻率，以及已知尺寸信息，确定所述第一栅极结构中鳍片的高度，所述已知尺寸信息表征了：所述第一栅极部分的长度与宽度，所述第二栅极部分的长度与宽度，以及所述第二栅极结构的长度与宽度。

可选的，根据所述第一电阻信息、所述第二电阻信息、所述目标电阻率，以及栅极已知尺寸，确定所述第一栅极结构中鳍片的高度，包括：

根据所述第一电阻信息、所述第二电阻信息，以及所述已知尺寸信息，确定所述第一栅极部分的方阻；

根据所述第二电阻信息，以及所述第二栅极结构的长度与宽度，确定所述第二栅极部分的方阻；

根据所述第一栅极部分的方阻与所述第二栅极部分的方阻，以及所述目标电阻率，确定所述第一栅极结构中鳍片的高度。

可选的，所述第二栅极部分的方阻是根据以下公式确定的：

式中，

R_b表征了所述第二电阻信息；

R₂表征了所述第二栅极部分的方阻；