[发明专利]一种用于晶体生长过程中的挥发物处理系统

权利要求书

1.一种用于晶体生长过程中的挥发物处理系统，其特征在于，包括：与晶体生长炉炉膛顶部和炉膛底部分别连通的鼓风装置和挥发物捕捉器，连接在所述鼓风装置和所述挥发物捕捉器之间的过滤器，安装在所述挥发物捕捉器和所述过滤器之间的风冷装置，安装在所述鼓风装置和所述晶体生长炉炉膛顶部之间的气体控温器；所述挥发物捕捉器内设置冷凝吸附装置，所述冷凝吸附装置用于吸附挥发物颗粒；晶体生长炉炉膛内的气体依次经过所述挥发物捕捉器冷凝吸附，所述过滤器过滤，由所述鼓风装置再次送入晶体生长炉炉膛内；

所述挥发物捕捉器排出的气体经过所述风冷装置冷却后，进入所述过滤器；

所述鼓风装置鼓入的气体经过所述气体控温器加热后，进入晶体生长炉炉膛内；

所述挥发物捕捉器的底部设置阀门；在所述阀门的上方设置挡板和温度传感报警器，所述温度传感报警器用于监控所述挥发物捕捉器内温度；

所述鼓风装置包括：鼓风调速器，鼓风风扇和流量计；所述鼓风调速器用于根据所述流量计测得的气体流量控制所述鼓风调速器改变所述鼓风风扇的转速。

2.根据权利要求1所述的挥发物处理系统，其特征在于，所述风冷装置包括：安装在气体管道上的散热器和第一热电偶，与所述散热器位置对应的风冷风扇，风冷调速器，第一温控仪；所述第一温控仪用于根据所述第一热电偶测量气体的温度信号控制所述风冷调速器改变所述风冷风扇的转速。

3.根据权利要求1所述的挥发物处理系统，其特征在于，所述气体控温器包括：安装在气体管道上的加热带和第二热电偶，第二温控仪；所述第二温控仪根据所述第二热电偶测量气体的温度信号控制所述加热带的输出功率。

4.根据权利要求1所述的挥发物处理系统，其特征在于，所述挥发物捕捉器内设置的冷凝吸附装置包括利用水冷方式冷却的不锈钢管。

5.根据权利要求1所述的挥发物处理系统，其特征在于，所述过滤器为纸质过滤器。