[发明专利]一种显示面板、薄膜晶体管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202110253417.9 申请日: 2021-03-08
公开(公告)号: CN112909087A 公开(公告)日: 2021-06-04
发明(设计)人: 夏玉明;卓恩宗;余思慧 申请(专利权)人: 滁州惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
主分类号: H01L29/49 分类号: H01L29/49;H01L29/51;H01L29/786;H01L21/336
代理公司: 深圳中一专利商标事务所 44237 代理人: 张海燕
地址: 239000 安徽省滁*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 显示 面板 薄膜晶体管 及其 制备 方法
【说明书】:

本申请适用于半导体器件技术领域,提供了一种显示面板、薄膜晶体管及其制备方法,薄膜晶体管包括:基板以及设于基板上的栅极、栅极绝缘层、沟道层、源极、漏极以及绝缘保护层;栅极绝缘层包括第一氮化硅层、设于第一氮化硅层上的第二氮化硅层以及设于第二氮化硅层上的第三氮化硅层,其中,第三氮化硅层位于沟道层与第二氮化硅层之间,且第三氮化硅层中的氮硅的浓度比例小于1,通过使第三氮化硅层中的含硅量大于含氮量,促进栅极绝缘层与沟道层之间的界面处的硅原子的原子化学键接触更加紧密,同时也可以改善其界面应力,提高界面应力的匹配性,提升薄膜晶体管器件的稳定性。

技术领域

本申请属于半导体器件技术领域,尤其涉及一种显示面板、薄膜晶体管及其制备方法。

背景技术

在薄膜晶体管中,半导体可以决定薄膜晶体管的特性。例如,可以根据结晶类型将硅划分为非晶硅和多晶硅。非晶硅具有相对简单的制造工艺,多晶硅需要使硅结晶的工艺,因此,多晶硅的制造成本增加且工艺相对复杂。在非晶硅的薄膜晶体管(TFT)中,其半导体由非晶硅制备,其中薄膜晶体管中的栅极绝缘层与非晶硅之间的界面作为前沟道,是TFT打开时的重要通道,因此该界面对TFT器件至关重要,影响着TFT-LCD的充电率和显示品质。

然而,非晶硅具有相对低的电荷迁移率,使得在制造高性能的薄膜晶体管方面存在限制。

发明内容

有鉴于此,本申请实施例提供了一种显示面板、薄膜晶体管及其制备方法,以解决非晶硅具有相对低的电荷迁移率,使得在制造高性能的薄膜晶体管方面存在限制的问题。

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管,包括:基板以及设于所述基板上的栅极、栅极绝缘层、沟道层、源极、漏极以及绝缘保护层;所述栅极绝缘层包括第一氮化硅层、设于所述第一氮化硅层上的第二氮化硅层以及设于所述第二氮化硅层上的第三氮化硅层,其中,所述第三氮化硅层位于所述沟道层与所述第二氮化硅层之间,且所述第三氮化硅层中的氮硅的浓度比例小于1。

可选的,所述第二氮化硅层中的氮硅的浓度比例大于所述第三氮化硅层中的氮硅的浓度比例。

可选的,所述第一氮化硅层中的氮硅的浓度比例大于所述第二氮化硅层中的氮硅的浓度比例。

可选的,所述第三氮化硅层中的氮硅的浓度比例为0.8-0.9。

可选的,所述第二氮化硅层中的氮硅的浓度比例为0.95-1.05。

可选的,所述第一氮化硅层中的氮硅的浓度比例为1.15-1.25。

可选的,所述绝缘保护层与所述沟道层之间的界面处的氮硅的浓度比例小于1。

本申请实施例还提供了一种薄膜晶体管的制备方法,包括:

在基板上沉积形成栅极;

采用化学气相沉积法分别以第一沉积气体浓度、第二沉积气体浓度以及第三沉积气体浓度在所述栅极以及所述基板上连续沉积第一氮化硅层、第二氮化硅层以及第三氮化硅层,以形成栅极绝缘层,其中,所述第三氮化硅层中的氮硅的浓度比例小于1;

在所述栅极绝缘层上形成沟道层;

在所述沟道层上形成源极、漏极以及绝缘保护层。

可选的,采用化学气相沉积法制备所述绝缘保护层,使所述绝缘保护层与所述沟道层之间的界面处的氮硅的浓度比例小于1。

本申请实施例还提供了一种显示面板,包括如上述任一项所述的薄膜晶体管。

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