[发明专利]一种低气孔率金属基材料的制备方法

权利要求书

1.一种低气孔率金属基材料的制备方法，其特征在于，包括：将基材层叠结构依次进行低温处理和高温处理；

所述低温处理步骤包括：在真空度低于5Pa的气压条件下，充入保护气体到气压为0.5～1.5KPa；然后以10～60min的处理时间，将温度升高至80～200℃，并将设备对所述基材层叠结构的静压增大至5～100MPa；

所述高温处理步骤包括：将处理温度升高至预设温度，然后保温保压烧结20～200min使材料烧结在一起；

所述高温处理步骤中的静压和气氛分别与所述低温处理步骤结束时的静压和气氛一致；

所述高温处理步骤之后的冷却处理步骤中，将设备对所述基材层叠结构的静压保持在3～5MPa进行自然冷却；

所述基材层叠结构包括层叠设置的多层片状基材；

所述预设温度低于每层所述片状基材的熔点；其中，所述片状基材为单一金属材料，所述预设温度与所述片状基材的熔点的差值在300℃以内；或者，所述片状基材为合金材料，以合金材料中熔点最低的元素的熔点为参比熔点，所述预设温度低于所述参比熔点300℃以内。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述低温处理步骤的结束温度为100～120℃；

和/或，所述低温处理步骤的结束静压为50～100MPa。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述低温处理步骤的处理时间为20～30min；

和/或，所述高温处理步骤的处理时间为100～140min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，每层所述片状基材均为相同的金属材料。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述片状基材为铜材料、铝材料或者镍材料。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述片状基材为铜材料，所述预设温度为800～1000℃。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述片状基材为铝材料，所述预设温度为500～650℃。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述片状基材为镍材料，所述预设温度为1200～1400℃。

9.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述片状基材为铜镍合金材料或者铜铝合金材料。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述片状基材为铜镍合金材料，所述预设温度为800～900℃。

11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述片状基材为铜铝合金材料，所述预设温度为500～600℃。

12.根据权利要求4～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述片状基材为单晶金属材料。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，每层所述片状基材的尺寸≥1mm²且≤1m²。

14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，每层所述片状基材的厚度为10～200μm；和/或，所述低气孔率金属基材料的厚度为20μm～10cm。