[发明专利]一种用于电路仿真模型的异常检测方法及装置有效

专利信息
申请号: 202110253275.6 申请日: 2021-03-05
公开(公告)号: CN112861461B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 张华龙;裴云鹏;吴大可;周振亚 申请(专利权)人: 北京华大九天科技股份有限公司
主分类号: G06F30/367 分类号: G06F30/367
代理公司: 北京坦路来专利代理有限公司 11652 代理人: 林乐飞
地址: 100102 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 电路 仿真 模型 异常 检测 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种用于电路仿真模型的异常检测方法,其特征在于,包括:

启动电路仿真模型的仿真流程;

根据所述电路仿真模型的类型,确定与综合结果有关的检测参数,根据所述检测参数执行与偏压无关的异常检测,所述与综合结果有关的检测参数包括:最终用于计算、确定最终的检测结果的参数;

根据所述电路仿真模型的雅克比矩阵和右端项,执行与所述偏压有关的异常检测,具体包括:根据非零值的雅克比矩阵进行异常检测,以及根据右端项的所有节点的值进行异常检测;

输出所述异常检测的结果。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述电路仿真模型的类型,确定与综合结果有关的检测参数,包括:

根据电路网表确定所述电路仿真模型的类型;

当所述电路仿真模型的类型为二极管模型时,确定与综合结果有关的检测参数包括:有效沟道的长度参数、有效沟道的宽度、常数电阻、常数电容以及饱和电流;

当所述电路仿真模型的类型为双极结型晶体管模型时,确定与综合结果有关的检测参数包括:常数电阻、常数电容以及饱和电流;

当所述电路仿真模型的类型为金属-氧化物半导体场效应晶体管模型时,确定与综合结果有关的检测参数包括:有效沟道的长度、有效沟道的宽度、常数电阻、常数电容以及饱和电流。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述电路仿真模型的雅克比矩阵和右端项,执行与所述偏压有关的异常检测,包括:

根据所述雅克比矩阵的对角线上的数值、各行各列的数值之和、以及所述雅克比矩阵的数值,检测是否存在与所述偏压有关的异常;

根据所述右端项所有节点的数值,检测是否存在与所述偏压有关的异常。

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述雅克比矩阵的对角线上的数值、各行各列的数值之和、以及所述雅克比矩阵的数值,检测是否存在异常之前,还包括:

确定所述电路仿真模型的线性节点和非线性节点;

针对所述非线性节点,确定所述雅克比矩阵中的数值是否为零;

针对非零元素的所述雅克比矩阵的对角线上的数值、各行各列的数值之和、以及所述雅克比矩阵的数值,检测是否存在与所述偏压有关的异常。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,对所述检测参数执行与偏压无关的异常检测之前,还包括:

根据所述电路检测模型中各器件的标记,判断是否已进行过与所述偏压无关的异常检测;

如果判断为未执行过与所述偏压无关的异常检测,则执行与所述偏压无关的异常检测;如果判断为执行过与所述偏压无关的异常检测,则跳过。

6.一种电路仿真模型的异常检测装置,其特征在于,包括:

启动模块,被配置为启动电路仿真模型的仿真流程;

第一执行模块,被配置为根据所述电路仿真模型的类型,确定与综合结果有关的检测参数,根据所述检测参数执行与偏压无关的异常检测,所述综合结果有关的检测参数包括:最终用于计算、确定最终的检测结果的参数;

第二执行模块,被配置为根据所述电路仿真模型的雅克比矩阵和右端项,执行与所述偏压有关的异常检测,具体包括:根据非零值的雅克比矩阵进行异常检测,以及根据右端项的所有节点的值进行异常检测;

输出模块,被配置为输出所述异常检测的结果。

7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于,所述第一执行模块包括:

第一确定子模块,被配置为根据电路网表确定所述电路仿真模型的类型;

第二确定子模块,被配置为当所述电路仿真模型的类型为二极管模型时,确定与综合结果有关的检测参数包括:有效沟道的长度参数、有效沟道的宽度、常数电阻、常数电容以及饱和电流;

第三确定子模块,被配置为当所述电路仿真模型的类型为双极结型晶体管模型时,确定与综合结果有关的检测参数包括:常数电阻、常数电容以及饱和电流;

第四确定子模块,被配置为当所述电路仿真模型的类型为金属-氧化物半导体场效应晶体管模型时,确定与综合结果有关的检测参数包括:有效沟道的长度、有效沟道的宽度、常数电阻、常数电容以及饱和电流。

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