[发明专利]在半导体ZnO上外延制备HfO2 有效
| 申请号： | 202110252819.7 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113035693B | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 程勇;郑茂源;吴金良;尹志岗;张兴旺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 zno 外延 制备 hfo base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种在半导体ZnO上外延制备HfO2基铁电薄膜的方法，包括：
提供HfO2基陶瓷靶材，其中，所述HfO2基陶瓷靶材含有掺杂元素；
提供半导体ZnO衬底，其中，所述半导体ZnO衬底包括：ZnO（110）或ZnO（001）；
对所述半导体ZnO衬底进行加热至预设温度，以高能粒子或高能脉冲辐射冲击所述HfO2基陶瓷靶材，以便将所述HfO2基陶瓷靶材中的Hf、O及所述掺杂元素沉积在所述半导体ZnO衬底上，得到预设厚度的包含所述Hf、所述O及所述掺杂元素的HfO2基铁电薄膜；
其中，所述高能粒子或高能脉冲辐射冲击所述HfO2基陶瓷靶材，以便将所述HfO2基陶瓷靶材中的Hf、O及所述掺杂元素沉积在所述半导体ZnO衬底上时通入氧气的氧增压小于等于0.1Pa；所述预设厚度为1~100nm。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述掺杂元素包括：Zr、Y或Si。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述以高能粒子或高能脉冲辐射冲击所述HfO2基陶瓷靶材，以便将所述HfO2基陶瓷靶材中的Hf、O及所述掺杂元素沉积在所述半导体ZnO衬底上的沉积方法，包括：磁控溅射沉积、离子束沉积或脉冲激光沉积。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述对所述半导体ZnO衬底进行加热至预设温度包括：所述预设温度为500~1000℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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