[发明专利]一种基于斯格明子的神经元突触的存储器件在审
| 申请号： | 202110252399.2 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113161476A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 徐家伟;孟德全;赵阳;程冲;苏玉荣;杨昌平;梁世恒 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/12;G06N3/063 |
| 代理公司： | 武汉世跃专利代理事务所(普通合伙) 42273 | 代理人： | 倪娅 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 明子 神经元 突触 存储 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于斯格明子的神经元突触的存储器件，其特征在于：包括由下至上依次设置的衬底、重金属层、绝缘势垒层和电极层组成，为三明治结构；所述存储器件的每一层的形状均相同，该形状为多个几何图形顺序相连，几何图形依次为小正方形，长条形，梯形，大长条形，细条形，设有一个三角形缺口的大正方形，半圆形；小正方形连接长条形的一个短边，两者中心对齐，长条形另一个短边连接梯形的上底边，梯形的下底边连接大长条形的一个短边，大长条形的一个长边还设有一个小的突出的方块，大长条形的另一个长边连接细条形的一端，细条形的另一端连接大正方形的三角形缺口最深处，所述大正方形的三角形为等腰直角三角形且直角过大正方形的中心点，大正方形上与三角形缺口相对的侧边连接半圆形的弧形中点。
2.根据权利要求1所述基于斯格明子的神经元突触的存储器件，其特征在于：所述衬底为Si衬底。
3.根据权利要求1所述基于斯格明子的神经元突触的存储器件，其特征在于：所述重金属层为具有较大自旋极化率的重金属，选自铁磁性单质Co、Pt、Ta中的一种。
4.根据权利要求1所述基于斯格明子的神经元突触的存储器件，其特征在于：所述绝缘势垒层为氧化铝薄膜层。
5.根据权利要求1所述基于斯格明子的神经元突触的存储器件，其特征在于：所述电极为单质Cu电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖北大学，未经湖北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110252399.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
