[发明专利]微发光元件有效
申请号: | 202110252031.6 | 申请日: | 2017-12-21 |
公开(公告)号: | CN113066812B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 丁绍滢;范俊峰;李佳恩;徐宸科 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/56;H01L33/00 |
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地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
1.微发光元件,包括不透光材料和位于不透光材料之间的若干个微发光二极管,微发光二极管包括侧面、相对设置的底面和顶面,其特征在于:单个微发光二极管至少两个相对的侧面覆盖有不透光材料,顶面对应位置的不透光材料具有出光孔洞,微发光二极管从出光孔洞出光,不透光材料至少包括反射材料或者吸光材料,不透光材料在不同条件下呈现不同的物理状态,不透光材料包括柔性状态和稳定状态,稳定状态时,不透光材料对微发光二极管具有夹紧力。
2.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:不透光材料包括BCB胶、硅胶或者紫外固化胶。
3.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:微发光二极管为正装微发光二极管、倒装微发光二极管或者垂直微发光二极管。
4.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:在微发光二极管一侧具有与微发光二极管键合的键合基板。
5.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:微发光二极管包括红光发光二极管、蓝光发光二极管、绿光发光二极管或其任意组合,用以满足各种光元素的组合。
6.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:不透光材料在加热状态下转换成柔性半固化材料。
7.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:出光孔洞为反射罩状。
8.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:不透光材料从侧面对微发光二极管施加夹持力。
9.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:出光孔洞贯穿不透光材料。
10.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:微发光二极管从出光孔洞出光。
11.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:还包括整面设置在顶面上方的透光层。
12.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:还包括同时为所有微发光二极管提供支撑的透光支架。
13.根据权利要求12所述的微发光元件,其特征在于:透光层位于透光支架和微发二极管之间,透光支架通过透光层为微发光二极管提供支撑。
14.根据权利要求13所述的微发光元件,其特征在于:透光支架通过透光层的化学分解或者物理分离,与微发光二极管分离。
15.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:不透光材料具有上表面和下表面,微发光元件的键合面低于不透光材料的下表面。
16.根据权利要求1所述的微发光元件,其特征在于:还包括用于与键合基板共晶的电极,电极从不透光材料中突出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的