[发明专利]集成芯片

说明书

在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片。前述集成芯片包括：基板及位于基板的上层的栅极电极。再者，前述集成芯片包括位于基板的上层且借由间隔物结构与栅极电极横向地间隔开的接触层。间隔物结构可围绕栅极电极的最外侧侧壁。硬遮罩结构可布置在栅极电极之上，且介于间隔物结构的多个部分之间。接触导孔延伸穿过硬遮罩结构，且接触栅极电极。前述集成芯片可进一步包括直接布置在介于硬遮罩结构及间隔物结构之间的衬层，其中衬层与栅极电极间隔开。

技术领域

本发明实施例涉及集成芯片，特别是涉及能够提升接触导孔的接触面积及制程裕度的集成芯片。

背景技术

在过去的几十年中，集成芯片制造产业经历指数级成长。随着集成芯片的发展，功能密度(例如，每芯片面积的半导体装置的数量)已经增加，同时部件尺寸已经减小。随着部件尺寸的减小，在部件之中的干扰增加。为了减轻半导体装置的部件之中的干扰，正在研究用于IC中的隔离的制造技术及/或部件。

发明内容

一实施例是关于一种集成芯片，其包括：基板、栅极电极、接触层、间隔物结构、硬遮罩结构、接触导孔及衬层。栅极电极位于基板的上层(overlying)。接触层位于基板的上层，且与栅极电极横向地间隔开(laterally spaced)。间隔物结构围绕栅极电极的多个最外侧侧壁，且使栅极电极与接触层分隔开(separating)。硬遮罩结构布置在栅极电极之上，且介于间隔物结构的多个部分之间。接触导孔延伸穿过硬遮罩结构，且接触栅极电极。衬层直接布置在介于硬遮罩结构及间隔物结构之间。其中，衬层与栅极电极间隔开。

另一实施例是关于一种集成芯片，其包括：基板、接触层、栅极电极、硬遮罩结构、接触导孔、间隔物结构及衬层。基板包括源极/漏极区域。接触层布置在源极/漏极区域之上。栅极电极布置在基板之上，且与接触层横向地间隔开。硬遮罩结构布置在栅极电极之上。接触导孔延伸穿过硬遮罩结构，且接触导孔布置在栅极电极的顶表面之上，且与栅极电极的顶表面直接接触。间隔物结构直接布置在介于栅极电极及接触层之间。衬层接触间隔物结构的多个内侧壁。其中，衬层包括具有相较于间隔物结构的材料更高的介电常数的材料。

又一实施例是关于一种集成芯片的形成方法，其包括：形成栅极电极在基板之上。其中，间隔物结构围绕栅极电极的最外侧侧壁。形成牺牲层于栅极电极的顶表面之上。形成连续的(continuous)衬层在间隔物结构的多个顶表面及多个内侧壁之上。其中，连续衬层借由牺牲层与栅极电极间隔开。执行第一移除制程，以选择性地(selectively)移除牺牲层。沉积硬遮罩材料于栅极电极之上。移除硬遮罩材料及连续衬层的一部分，以形成分隔开的硬遮罩结构及位于栅极电极之上的衬层。形成第一遮罩结构于硬遮罩结构之上，前述第一遮罩结构包含直接在栅极电极上层的第一开口。执行第一蚀刻制程，以移除在第一开口下层的硬遮罩结构的一部分，以暴露栅极电极的顶表面。形成接触导孔在栅极电极的顶表面之上，且接触导孔直接接触栅极电极的顶表面。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附图式阅读，能够最好的理解本公开的所有态样。应注意的是，根据本产业的标准作业，各种部件并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小各种部件的尺寸，以做清楚的说明。

图1A至图1C显示出集成芯片的一些实施例的各种视图，前述集成芯片包括布置在间隔物结构及接触导孔之间且布置在栅极电极之上的衬层。

图2显示出集成芯片的一些其他实施例的剖面图，前述集成芯片包括布置在间隔物结构及接触导孔之间且布置在栅极电极之上的衬层。

图3显示出集成芯片的一些实施例的剖面图，前述集成芯片包括布置在间隔物结构及接触导孔之间且布置在接触层之上的衬层。

图4A显示出集成芯片的一些其他实施例的剖面图，前述集成芯片包括布置在间隔物结构及接触导孔之间且布置在栅极电极之上的衬层，其中接触导孔实质上在栅极电极的中心之上(centered over)。