[发明专利]一种半导体材料载流子浓度的检测方法

说明书

本发明公开了一种半导体材料载流子浓度的检测方法，包括S1：首先在实验室内部搭建电光效应试验仪器，再将需要检测的半导体材料置于电光效应试验仪的检测筒处，并与检测筒的正负电极接口对应；S2：选择可调节电容大小的平行板电容器，并使得半导体材料位于平行板电容器之间；S3：选择两段式的送风管道，并将电加热丝置于两段送风管道的一端处，通过管道连接结构连接两段式送风管道；本发明外加可调节电容大小的平行板电容器，使得待检测的半导体材料处于一定的电场内部，通过调节电场大小，得出待检测半导体材料的载流子浓度，相比较霍尔效应检测，不仅仅提高了检测效率，同时也提高了半导体材料载流子浓度的检测准度以及降低检测误差。

技术领域

本发明涉及一种检测方法，特别涉及一种半导体材料载流子浓度的检测方法，属于半导体检测技术领域。

背景技术

电光效应是指某些各向同性的透明物质在电场作用下显示出光学各向异性，物质的折射率因外加电场而发生变化的现象，电光效应是在外加电场作用下，物体的光学性质所发生的各种变化的统称，与光的频率相比，通常这一外加电场随时间的变化非常缓慢。

半导体材料(semiconductormaterial)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。

半导体材料的载流子浓度大都通过霍尔效应进行测量，然而由于霍尔效应试验器材的自身缺陷，其检测的精度存在着较大的误差，其二，我们常常需要半导体材料及其器件在工作过程中的即时载流子浓度来检测其工作性能好坏，而霍尔效应试验器材一般只能在半导体材料及器件非工作情况下进行载流子浓度检测，测试得到的载流子浓度并不足以满足半导体应用于实际的需要，因此，通过改变半导体的温度进行半导体材料载流子浓度的电光测量很有必要。

为此，提供一种半导体材料载流子浓度的检测方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体材料载流子浓度的检测方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种半导体材料载流子浓度的检测方法，包括以下步骤：

S1：首先在实验室内部搭建电光效应试验仪器，再将需要检测的半导体材料置于电光效应试验仪的检测筒处，并与检测筒的正负电极接口对应；

S2：选择可调节电容大小的平行板电容器，安装在检测筒处的内部，并使得半导体材料位于平行板电容器之间；

S3：选择两段式的送风管道，并将电加热丝置于两段送风管道的一端处，通过管道连接结构连接两段式送风管道；

S4：紧接着将其中一个送风管道连接鼓风机，其中另一个送风管道与检测筒的进风口连接，使得送风管道的出风能够对准半导体材料；

S5：将温度传感器安装到检测筒边角处，并使得的温度传感器的感应端与半导体材料表面接触，通过对接电路线路，使得电加热丝能够根据温度传感器温度数值的变化而调整功率大小，鼓风机也相应的调节转速快慢；

S6：将导线的一端与电光效应试验仪器的检测仪连接，导线的另一端与检测筒的正负电极接口，形成完整的电路，测量半导体材料载流子浓度即可。

作为本发明的一种优选技术方案，所述步骤S3中，两段式送风管道的外表面包裹有保温层。

作为本发明的一种优选技术方案，所述步骤S1中，半导体材料为圆柱体结构。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：