[发明专利]发光器件的制造方法和发光器件

权利要求书

1.一种发光器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一晶圆；所述晶圆包括一衬底及自该衬底生长的一外延层；

在所述外延层上远离所述衬底的一侧刻蚀多个第一沟槽，以使所述外延层表面形成多个像素区域；所述第一沟槽的深度小于所述外延层的厚度；在所述第一沟槽所在位置继续向下刻蚀，获取多个第二沟槽；在各所述第二沟槽中填充有机胶；和/或

对所述衬底远离所述外延层的一侧进行图形化处理，形成至少一个第三沟槽；所述第三沟槽的深度小于所述衬底的厚度。

2.根据权利要求1所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述第二沟槽的深度至少贯穿所述外延层。

3.根据权利要求1或2所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述外延层包括P型半导体层和N型半导体层，当所述有机胶为绝缘有机胶或所述有机胶为导电性小于N型半导体层的导电性时，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度。

4.根据权利要求1所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述外延层包括P型半导体层和N型半导体层，当所述有机胶为导电性大于等于N型半导体层的导电性时，所述第二沟槽的宽度小于或等于所述第一沟槽的宽度。

5.根据权利要求1所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽所在位置继续向下刻蚀，获取多个第二沟槽包括：

在每间隔N个像素区域之间的所述第一沟槽所在位置继续向下刻蚀，获取多个所述第二沟槽；其中，N为大于等于1的整数。

6.根据权利要求1所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述在所述第一沟槽所在位置继续向下刻蚀，获取多个第二沟槽包括：

随机在所述外延层上任意所述第一沟槽所在位置继续向下刻蚀，获取多个所述第二沟槽。

7.根据权利要求1所述的发光器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底远离所述外延层的一侧上刻蚀多个第三沟槽之前，所述制造方法还包括：

在所述外延层远离所述衬底的一侧上形成一保护层。

8.根据权利要求1所述的发光器件的制造方法，其特征在于，在所述衬底远离所述外延层的一侧上刻蚀多个第三沟槽之后，所述制造方法还包括：

在各所述第三沟槽中填充有机胶或在部分所述第三沟槽中填充有机胶。

9.根据权利要求1所述的发光器件的制造方法，其特征在于，所述第三沟槽的直径小于所述晶圆的直径。

10.一种发光器件，其特征在于，包括：

衬底；

外延层，从所述衬底的一侧上生成；

所述外延层远离所述衬底的一侧上包括刻蚀形成的多个第一沟槽和被多个所述第一沟槽划分形成的多个像素区域；所述第一沟槽的深度小于所述外延层的厚度；所述外延层上还包括多个第二沟槽；所述第二沟槽自所述第一沟槽所在位置继续向下刻蚀形成；所述第二沟槽的深度至少贯穿所述外延层；有机胶，填充于各所述第二沟槽中；和/或

所述衬底远离所述外延层的一侧上包括至少一个第三沟槽；所述第三沟槽的深度小于所述衬底的厚度。