[发明专利]一种新型源极肖特基接触IGBT结构在审
| 申请号： | 202110249754.0 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113013239A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 李平;林凡;廖永波;冯轲;李垚森;聂瑞宏;彭辰曦 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/47 | 分类号： | H01L29/47;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/739 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 源极肖特基 接触 igbt 结构 | ||
1.一种新型源极肖特基接触IGBT结构，包括：集电极金属区(109)，与所述集电极金属区(109)上表面接触的P+型集电区(108)，与所述P+型集电区(108)上表面接触的N+型缓冲层(107)，与所述N+型缓冲层(107)上表面接触的N-型漂移区(106)，与所述N-型漂移区(106)上表面接触的P型沟道区(105)，与所述P型沟道区(105)上表面接触的肖特基接触金属源区(103)。栅电极(102)为环形结构，将所述P型沟道区(105)和部分肖特基接触金属源区(103)包围，且所述栅电极(102)的下表面低于所述P型沟道区(105)与N-型漂移区(106)的界面。栅电极(102)与相邻功能层之间设置有一层栅介质层(101)作为隔离。
2.根据权利要求1所述的一种新型源极肖特基接触IGBT结构，其特征在于，肖特基接触金属源区(103)与P型沟道区(105)之间有异质结半导体区(104)。
3.根据权利要求1所述的一种新型源极肖特基接触IGBT结构，其特征在于，所述栅介质层(101)的材料为SiO2、Si3N4、HfO2、Al2O3或上述材料的组合。
4.根据权利要求1所述的一种新型源极肖特基接触IGBT结构，其特征在于，所述异质结半导体区(104)的材料为赝晶或多晶SiGe或多晶锗或多晶InP或多晶HgCdTe，P型沟道区(105)的材料为硅。
5.根据权利要求1所述的一种新型源极肖特基接触IGBT结构，其特征在于，所述P型沟道区(105)的材料为SiC或GaN，异质结半导体区(104)的材料为Si或Ge。
6.根据权利要求1所述的一种新型源极肖特基接触IGBT结构，其特征在于，所述肖特基接触金属源区(103)的材料为金属或者金属硅化物包括Co，Ir，Ni，Ti，W和Er。
7.根据权利要求2所述的一种新型源极肖特基接触IGBT结构，其特征在于，所述异质结半导体区(104)的厚度为1～5nm。
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