[发明专利]一种陶瓷封装基座

权利要求书

1.一种陶瓷封装基座，其特征在于：包括绝缘基体和钨导电层；

所述钨导电层设置于所述绝缘基体的至少一个表面上；

所述绝缘基体由氮化铝陶瓷形成；

所述钨导电层包括W、Al和M；所述M表示稀土元素；

所述钨导电层中，按W、Al和M的质量百分比为100%计，W的质量百分比为92%~97%；Al的质量百分比为1.5%~4%；M的质量百分比为1.4%~4%；

所述钨导电层包括W晶相和M-Al-O晶相；

所述钨导电层中，M-Al-O晶相的质量百分比为5%~11%；

所述M-Al-O晶相包括M₄Al₂O₉、MAlO₃、M₃Al₅O₁₂中的至少一种；所述M选自Y、Dy、Er、Sm中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的一种陶瓷封装基座，其特征在于：所述W晶相的粒径为0.99μm~1.99μm。

3.根据权利要求1所述的一种陶瓷封装基座，其特征在于：所述绝缘基体包括具有电子元件搭载部的基板和框体；所述框体设置在所述基板上并围绕所述电子元件搭载部。

4.根据权利要求3所述的一种陶瓷封装基座，其特征在于：所述钨导电层的表面还包括依次层叠设置的镍层和金层。

5.权利要求4所述陶瓷封装基座的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1）将氮化铝陶瓷浆料加工成型为陶瓷生坯；

2）按照陶瓷层的结构要求，将陶瓷生坯进行冲孔成型；

3）按照陶瓷层的导电层图案要求，将步骤2）得到的生坯进行钨浆料填孔和印刷，得到陶瓷层；

4）将多个陶瓷层进行叠层，形成陶瓷封装基座生坯；

5）将陶瓷封装基座生坯进行排胶烧结，得到含有钨导电层的陶瓷封装基座；

6）在露出于绝缘基体的钨导电层上依次进行镀镍和镀金。

6.权利要求1至4任一项所述的陶瓷封装基座在传感器中的应用。