[发明专利]一种外延设备监测方法和相应的外延设备监测装置在审
申请号: | 202110247486.9 | 申请日: | 2021-03-05 |
公开(公告)号: | CN113113329A | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 马海霞 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/54 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 外延 设备 监测 方法 相应 装置 | ||
1.一种外延设备监测方法,其特征在于,所述外延设备包括反射屏和加热元件,所述方法包括:
确定所述外延设备的当前工作状态;
若所述当前工作状态为预设工作状态,则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息;
根据所述实际功率信息判断所述反射屏是否损坏。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述预设工作状态包括外延状态和蚀刻状态,所述若所述当前工作状态为预设工作状态,则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息,包括:
若所述当前工作状态为所述外延状态,则获取在所述外延状态下的所述加热元件的所述实际功率信息;
或,
若所述当前工作状态为所述蚀刻状态,则获取在所述蚀刻状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息,包括:
在所述当前工作状态下,记录所述加热元件的功率值,并在所述加热元件的功率值每发生一次变化后,记录变化后的功率值;
若所述外延设备结束所述当前工作状态,则根据所记录的所有功率值确定在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述实际功率信息判断所述反射屏是否损坏,包括:
获取与所述当前工作状态对应的预设功率信息;
比较所述实际功率信息和所述预设功率信息,确定功率差异信息;
根据所述功率差异信息判断所述反射屏是否损坏。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述根据所记录的所有功率值确定在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息,包括:
计算所述所记录的所有功率值的平均功率值,并将所述平均功率值作为在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述预设功率信息为预设功率阈值,所述比较所述实际功率信息和所述预设功率信息,确定功率差异信息,包括:
比较所述平均功率值和所述预设功率阈值,确定所述功率差异值。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
若判断所述反射屏发生损坏,则控制所述外延设备发出报警信息,以提醒用户对所述反射屏进行维护。
8.一种外延设备监测装置,其特征在于,所述外延设备包括反射屏和加热元件,所述装置包括:
确定模块,用于确定所述外延设备的当前工作状态;
实际功率信息获取模块,用于若所述当前工作状态为预设工作状态,则获取在所述当前工作状态下的所述加热元件的实际功率信息;
判断模块,用于根据所述实际功率信息判断所述反射屏是否损坏。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述预设工作状态包括外延状态和蚀刻状态,所述实际功率信息获取模块,包括:
实际功率信息获取子模块,用于若所述当前工作状态为所述外延状态,则获取在所述外延状态下的所述加热元件的所述实际功率信息;或,若所述当前工作状态为所述蚀刻状态,则获取在所述蚀刻状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。
10.根据权利要求8所述的装置,其特征在于,所述实际功率信息获取模块,包括:
记录子模块,用于在所述当前工作状态下,记录所述加热元件的功率值,并在所述加热元件的功率值每发生一次变化后,记录变化后的功率值;
确定子模块,用于若所述外延设备结束所述当前工作状态,则根据所记录的所有功率值确定在所述当前工作状态下的所述加热元件的所述实际功率信息。
11.根据权利要求10所述的装置,其特征在于,所述判断模块,包括:
预设功率信息获取子模块,用于获取与所述当前工作状态对应的预设功率信息;
比较子模块,用于比较所述实际功率信息和所述预设功率信息,确定功率差异信息;
判断子模块,用于根据所述功率差异信息判断所述反射屏是否损坏。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造