[发明专利]管芯堆叠件的形成方法及管芯堆叠结构

权利要求书

1.一种形成管芯堆叠件的方法，包括：

将第一器件管芯接合至第二器件管芯；

将所述第一器件管芯密封在第一密封剂中；

在所述第二器件管芯上实施背面研磨工艺，以露出所述第二器件管芯中的贯穿通孔；

形成位于所述第二器件管芯上的第一电连接器，以形成第一封装件，其中，所述第一封装件包括所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；

将所述第一封装件密封在第二密封剂中；以及

形成与所述第一封装件和所述第二密封剂物料接触的互连结构，其中，所述互连结构包括第二电连接器。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成所述互连结构包括：

形成与所述第一封装件和所述第二密封剂重叠的介电层；

形成位于所述介电层中的开口，其中，所述第一电连接器通过所述开口露出；以及

形成延伸至所述开口中以接触所述贯穿通孔的再分布线。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二器件管芯包括多个探测焊盘，并且所述方法还包括使用所述多个探测焊盘来测试所述第二器件管芯，并且其中，所述第一密封剂与所述探测焊盘物理接触。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在所述测试之前，在所述多个探测焊盘上形成焊料区；以及

在所述测试之后和将所述第一器件管芯接合至所述第二器件管芯之前，去除所述焊料区。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在所述测试之前，在所述多个探测焊盘上形成焊料区，其中，通过在所述焊料区上接触探测引脚来实施所述测试，并且其中，在将所述第一器件管芯密封在所述第一密封剂中之后，所述焊料区与所述第一密封剂物理接触。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二密封剂填充所述第一电连接器之间的空间，并且，将所述第一封装件密封在所述第二密封剂中包括平坦化工艺，以使所述第一电连接器的表面与所述第二密封剂的表面齐平。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：将填充介电材料分配至所述第一电连接器之间的空间中，并且，将所述第一封装件密封在所述第二密封剂中包括平坦化工艺，以使所述第一电连接器的表面与所述填充介电材料的表面齐平。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

锯切所述第二密封剂和所述互连结构，以形成第二封装件，其中，所述第二封装件包括所述第一器件管芯和所述第二器件管芯；以及

将所述第二封装件接合至封装衬底。

9.一种管芯堆叠结构，包括：

封装件，包括：

第一管芯，包括第一多个接合焊盘；

第二管芯，包括：

第二多个接合焊盘，接合至所述第一多个接合焊盘；

半导体衬底，位于所述第二多个接合焊盘下面；

多个贯穿通孔，穿过所述半导体衬底；以及

第一电连接器，位于所述多个贯穿通孔下面，并且连接至所述多个贯穿通孔；以及

第一密封剂，将所述第一管芯密封在其中；

第二密封剂，将所述封装件密封在其中；以及

互连结构，位于所述封装件下面，其中，所述互连结构包括：

介电层，位于所述第二密封剂和所述封装件两者下面，并且与所述第二密封剂和所述封装件两者接触；以及

多个再分布线，延伸至所述介电层中，以接触所述第一电连接器。

10.一种管芯堆叠结构，包括：

封装件，包括：

器件管芯，包括半导体衬底；

封装组件，位于所述器件管芯上方，并且接合至所述器件管芯；

第一模制化合物，将所述封装组件模制在其中；

介电层，位于所述器件管芯下面，其中，所述介电层的边缘与所述第一模制化合物和所述器件管芯的相应边缘齐平；以及

非焊料导电部件，位于所述器件管芯的所述半导体衬底下面，其中，所述非焊料导电部件延伸至所述介电层中；以及

多个再分布线，位于所述非焊料导电部件下面，并且与所述非焊料导电部件物理接触，其中，所述多个再分布线分布在横向延伸超过所述封装件的相应的第一边缘的区域中。