[发明专利]一种带阻滤波器及其制作方法

权利要求书

1.一种带阻滤波器，其特征在于，包括：

第一基板和第二基板；

所述第一基板包括第一衬底基板、位于所述第一衬底基板一侧的第一金属层以及设置于所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧的第一键合引脚和第二键合引脚；所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧形成超材料结构；所述超材料结构的高度为g₁，所述第一金属层的高度为g₂，g₁＜g₂；

所述第二基板包括第二衬底基板、位于所述第二衬底基板一侧的第三键合引脚和第四键合引脚，以及连接所述第三键合引脚和所述第四键合引脚的第二金属层和第三金属层；

所述第一键合引脚与所述第三键合引脚键合，所述第二键合引脚和所述第四键合引脚键合，以键合所述第一基板和所述第二基板。

2.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述第一衬底基板包括第一介电层和位于所述第一介电层一侧的第一氧化层；

所述第二衬底基板包括第二介电层和位于所述第二介电层一侧的第二氧化层。

3.根据权利要求2所述的带阻滤波器，其特征在于，所述第一氧化层包括第一氧化隔离层和第二氧化隔离层；

所述第一氧化隔离层设置于所述第一介电层靠近所述第一金属层一侧，所述第二氧化隔离层设置于所述第一氧化隔离层背离所述第一介电层一侧。

4.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述超材料结构包括位于所述第一衬底基板一侧的接地层以及设置于所述接地层背离所述第一衬底基板一侧的信号层。

5.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述带阻滤波器还包括隔离层；

所述隔离层设置于所述超材料结构背离所述第一衬底基板一侧，所述隔离层在所述超材料结构所在平面上的垂直投影与所述第二金属层和所述第三金属层在所述超材料结构所在平面上的垂直投影重叠。

6.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述超材料结构背离所述第一衬底基板一侧形成嵌入谐振结构的共面波导；

所述谐振结构包括并联连接的第一电感、第一电容和第一电阻。

7.根据权利要求1所述的带阻滤波器，其特征在于，所述第二金属层背离所述第二衬底基板一侧形成第一桥接器；

所述第三金属层背离所述第二衬底基板一侧形成第二桥接器。

8.根据权利要求7所述的带阻滤波器，其特征在于，所述第一桥接器包括串联连接的第一桥电感、第一桥电容和第一桥电阻；

所述第二桥接器包括串联连接的第二桥电感、第二桥电容和第二桥电阻。

9.一种带阻滤波器的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底基板，在所述第一衬底基板一侧形成第一金属层；

在所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧的第一键合引脚和第二键合引脚；

其中，所述第一金属层背离所述第一衬底基板一侧形成超材料结构；所述超材料结构的高度为g₁，所述第一金属层的高度为g₂，g₁＜g₂；

第一基板包括所述第一衬底基板、所述第一金属层、所述第一键合引脚和所述第二键合引脚；

提供第二衬底基板，在所述第二衬底基板一侧的第三键合引脚和第四键合引脚；

形成连接所述第三键合引脚和所述第四键合引脚的第二金属层和第三金属层；

第二基板包括所述第二衬底基板、所述第三键合引脚、所述第四键合引脚、所述第二金属层和所述第三金属层；

键合所述第一键合引脚与所述第三键合引脚，键合所述第二键合引脚和所述第四键合引脚，以键合所述第一基板和所述第二基板。

10.根据权利要求9所述的带阻滤波器的制作方法，其特征在于，在键合所述第一基板和所述第二基板之后，还包括：

在所述第一基板背离所述第二基板的一侧形成第一凹槽，在所述第二基板背离所述第一基板的一侧形成第二凹槽。