[发明专利]显示面板及显示装置有效
申请号: | 202110246201.X | 申请日: | 2021-03-05 |
公开(公告)号: | CN113078188B | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
发明(设计)人: | 张国峰;王俊强 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/544 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:非显示区,至少部分围绕所述非显示区的显示区,所述显示区和所述非显示区之间还设置有阻隔区;所述显示面板还包括:
层叠设置的基板、阵列层、发光层、封装层、隔离柱和第二有机层;所述隔离柱位于所述阻隔区;
在所述阻隔区,所述阵列层包括至少一个朝向所述基板凹陷的凹槽,所述发光层在所述凹槽处断开;所述凹槽包括第一凹槽和第二凹槽,所述第一凹槽位于所述隔离柱靠近所述显示区的一侧,所述第二凹槽位于所述隔离柱靠近所述非显示区的一侧;
所述封装层包括第一有机层,所述第一有机层位于所述阻隔区,沿垂直于所述显示面的板出光面的方向,所述第一有机层填充于所述凹槽内;
所述第一有机层包括力致荧光变色材料,用于检测所述阻隔区的裂纹程度;
所述第二有机层位于所述隔离柱靠近所述显示区的一侧,且所述第二有机层填充于所述第一凹槽内;
填充于所述第一凹槽内的所述力致荧光变色材料的浓度大于填充于所述第二凹槽内的所述力致荧光变色材料的浓度。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,由所述显示区指向所述非显示区的方向,所述第二凹槽的深度逐渐增加,所述第二凹槽的深度为垂直于所述显示面板的出光面的方向的深度。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,由所述显示区指向所述非显示区的方向,位于不同的所述第二凹槽内的所述第一有机层中的所述力致荧光变色材料的浓度逐渐减小。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述封装层靠近所述显示面板的出光面的一侧包括第一无机层;
所述封装层还包括第二无机层,且所述第二无机层位于所述第一有机层靠近所述基板的一侧;
沿垂直于所述显示面板的出光面的方向,位于所述阻隔区,所述第一有机层位于所述第一无机层和第二无机层之间;位于所述显示区,沿垂直于所述显示面板的出光面的方向,所述第一无机层和所述第二无机层相邻。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一有机层包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域;
所述第一区域为所述第一有机层填充于所述第二凹槽内的区域;所述第二区域为所述第一有机层与所述隔离柱在垂直于所述基板方向交叠的区域;所述第三区域为所述第一有机层中远离所述非显示区一侧端部的区域;所述第四区域到第一侧壁的距离大于零,所述第四区域到所述第一有机层远离所述基板一侧的表面的距离大于零,所述第四区域到所述显示区的距离大于零,所述第四区域到所述隔离柱的距离大于零,所述第一侧壁为相邻两个所述第二凹槽之间形成的凸台的上表面;
所述第一区域中包括的所述力致荧光变色材料的浓度大于所述第四区域中包括的所述力致荧光变色材料的浓度;
所述第二区域中包括的所述力致荧光变色材料的浓度大于所述第四区域中包括的所述力致荧光变色材料的浓度;
所述第三区域中包括的所述力致荧光变色材料的浓度大于所述第四区域中包括的所述力致荧光变色材料的浓度。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,沿垂直于所述显示面板的出光面的方向,所述第一有机层包括第一子层和第二子层,所述第一子层位于所述第二凹槽远离所述基板的一侧,所述第二子层位于所述第一子层远离所述第二凹槽的一侧;所述第二子层覆盖所述隔离柱与所述第一子层。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,沿平行于所述显示面板的出光面的方向,所述第一子层位于所述隔离柱靠近所述非显示区的一侧;
沿垂直于所述基板的方向,所述第一子层远离所述基板一侧的表面与所述隔离柱的表面齐平。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第一子层包括的所述力致荧光变色材料的平均浓度大于所述第二子层包括的所述力致荧光变色材料的平均浓度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的