[发明专利]选择性合成三烷氧基硅烷的方法

权利要求书

1.一种用于选择性合成具有式SiH(OR)₃的三烷氧基硅烷的直接无溶剂方法，其中每个R为C₁-C₄烷基，所述方法包括以下步骤：

在填充床反应器中提供金属硅和铜基催化剂的混合物，其中所述铜基催化剂选自氯化亚铜(I)、氢氧化铜(II)、氧化铜(II)以及它们的混合物；

加热所述混合物至活化温度；

在180℃至小于250℃的反应温度下将C₁-C₄醇引入所述反应器中；

在换热器中将反应产物冷凝；以及

收集冷凝的反应产物，

其中所述金属硅、所述铜基催化剂和所述硅-催化剂混合物均不经过包括氢氟酸(HF)洗涤步骤在内的包括任何酸或其他预备溶液的任何洗涤步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法对三烷氧基硅烷的选择性大于88％、大于90％、大于93％或大于95％。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述铜基催化剂以所述硅-催化剂混合物的重量的2重量％至10重量％的催化剂负载浓度存在。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述铜基催化剂以所述硅-催化剂混合物的重量的小于5重量％的催化剂负载量存在。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述C₁-C₄醇基本上是无水的。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述C₁-C₄醇为乙醇。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述活化温度为220℃。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述填充反应器在220℃的活化温度下加热2-5小时。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述反应温度为200℃至240℃。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述反应温度为220℃。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述反应温度为240℃。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述醇在所述反应器中具有9分钟至71分钟的停留时间。

13.一种用于合成三乙氧基硅烷的直接无溶剂方法，所述方法对三乙氧基硅烷的选择性大于90％，所述方法包括以下步骤：

在填充床反应器中以硅-催化剂混合物重量的小于5重量％的催化剂负载量提供金属硅和铜基催化剂的混合物，其中所述铜基催化剂选自氯化亚铜(I)、氢氧化铜(II)、氧化铜(II)以及它们的混合物；

在220℃的活化温度下加热所述混合物；

向所述反应器中引入无水乙醇，使得在所述反应器中在220℃至240℃的反应温度下所述乙醇具有35分钟至71分钟的停留时间；

在换热器中将反应产物冷凝；以及

收集冷凝的反应产物，

其中所述金属硅、所述铜基催化剂和所述硅-催化剂混合物均不经过包括HF洗涤步骤在内的包括任何酸或其他预备溶液的任何洗涤步骤。