[发明专利]石英晶体谐振器及其形成方法、电子设备有效
| 申请号： | 202110245408.5 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113285689B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 张孟伦;庞慰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H03H9/19 | 分类号： | H03H9/19;H03H9/215 |
| 代理公司： | 北京汉智嘉成知识产权代理有限公司 11682 | 代理人： | 姜劲;谷惠敏 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石英 晶体 谐振器 及其 形成 方法 电子设备 | ||
1.一种石英晶体谐振器，其特征在于，包括垂直方向叠置的基底和主体功能结构，所述主体功能结构包括石英压电层、第一电极、第二电极和机械增强结构，所述基底与所述主体功能结构之间通过键合连接，其中，所述机械增强结构位于所述石英压电层之上，所述基底与所述石英压电层键合，或者，所述机械增强结构位于所述石英压电层之下，所述基底与所述机械增强结构键合，
所述机械增强结构与所述石英压电层二者接触的接触区域的俯视投影，以及所述基底与所述主体功能结构二者键合的键合区域的俯视投影，二者具有重叠。
2.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器，其特征在于，所述机械增强结构包括支撑层和上部基底层。
3.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器，其特征在于，所述机械增强结构为盖状增强结构。
4.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器，其特征在于，所述基底在和主体功能结构接近的位置设有空腔。
5.根据权利要求1所述的石英晶体谐振器，其特征在于，还包括封装结构。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的石英晶体谐振器，其特征在于，还包括经过所述基底或者封装结构引出的电极引出结构。
7.一种石英晶体谐振器的形成方法，其特征在于，包括：
提供石英压电层；
在所述石英压电层之上形成第一电极；
在所述第一电极之上形成牺牲层；
在所述牺牲层之上沉积支撑层并磨平所述支撑层；
翻转当前半导体结构然后键合到上部基底层上；
减薄所述石英压电层；
在所述石英压电层之上形成第二电极；
去除所述牺牲层；
将当前半导体结构翻转后键合到基底之上，其中所述石英压电层与所述基底互相接触；
在所述基底之上形成封装结构，
其中，所述石英压电层与所述基底的键合区域的俯视投影，以及所述支撑层与所述石英压电层接触区域的俯视投影，二者具有重叠。
8.一种石英晶体谐振器的形成方法，其特征在于，包括：
提供石英压电层；
在所述石英压电层之上形成第一电极；
在所述第一电极之上形成牺牲层；
在所述牺牲层之上沉积支撑层并磨平所述支撑层；
翻转当前半导体结构然后键合到上部基底层上；
减薄所述石英压电层；
在所述石英压电层之上形成第二电极；
去除所述牺牲层；
将当前半导体结构直接键合到基底之上，其中所述上部基底层与所述基底互相接触；
在所述基底之上形成封装结构，
其中，所述上部基底层与所述基底的键合区域的俯视投影，以及所述支撑层与所述石英压电层接触区域的俯视投影，二者具有重叠。
9.一种石英晶体谐振器的形成方法，其特征在于，包括：
提供石英压电层；
在所述石英压电层之上形成第一电极；
翻转当前半导体结构然后键合到盖状增强结构上；
减薄所述石英压电层；
在所述石英压电层之上形成第二电极；
将当前半导体结构翻转后键合到基底之上，其中所述石英压电层与所述基底互相接触；
在所述基底之上形成封装结构，
其中，所述石英压电层与所述基底的键合区域的俯视投影，以及所述盖状增强结构与所述石英压电层键合区域的俯视投影，二者具有重叠。
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