[发明专利]三维存储器及其制备方法

权利要求书

1.三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上依次形成停止层以及叠层结构；

形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的沟道孔，并在所述沟道孔的内壁依次形成功能层和沟道层，以形成沟道结构；

通过研磨工艺去除所述衬底和所述沟道结构的延伸至所述衬底的部分至所述停止层；

对所述停止层和所述沟道层的靠近所述停止层的部分进行掺杂处理；以及

在所述停止层的远离所述叠层结构的一侧形成包括多晶硅层的源极层，以覆盖所述沟道结构的远离所述叠层结构的端面。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述停止层的材料包括多晶硅。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述衬底包括依次堆叠的基底、第一牺牲氧化硅层、牺牲多晶硅层以及第二牺牲氧化硅层，其中，通过研磨工艺去除所述衬底和所述沟道结构的延伸至所述衬底的部分至所述停止层的步骤包括：

通过研磨工艺依次去除所述基底、所述第一牺牲氧化硅层、所述牺牲多晶硅层以及所述第二牺牲氧化硅层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述叠层结构包括台阶区，所述方法还包括：

在所述台阶区形成贯穿至少部分所述叠层结构并延伸至所述衬底的虚拟沟道结构。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述叠层结构包括交替叠置的多个栅极介质层和多个栅极牺牲层，所述方法还包括：

形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述衬底的栅极缝隙，其中，所述栅极缝隙与所述沟道结构具有间距；

经由所述栅极缝隙去除所述栅极牺牲层，以形成牺牲间隙；

在所述牺牲间隙内形成栅极层；以及

在所述栅极缝隙中填充导电材料，以形成栅极缝隙结构。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述牺牲间隙内形成栅极层的步骤包括：

在所述牺牲间隙和所述栅极缝隙的内壁上形成栅极阻挡层；以及

在所述栅极阻挡层位于所述牺牲间隙内的表面形成用于粘合所述栅极层的粘合层。

7.根据权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述衬底的形成有所述叠层结构的一侧包括由绝缘覆盖层形成的外围区，所述方法还包括：

在所述外围区形成贯穿所述绝缘覆盖层并延伸至所述衬底的贯穿硅触点结构。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，形成所述贯穿硅触点结构的步骤包括：

在所述贯穿硅触点结构的外壁形成间隔层。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

去除所述虚拟沟道结构的延伸至所述衬底的部分、所述栅极缝隙结构的延伸至所述衬底的部分以及所述贯穿硅触点结构的延伸至所述衬底的部分。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述停止层的远离所述叠层结构的一侧形成源极层的步骤包括：

在所述停止层的远离所述叠层结构的一侧形成源极层，以使所述源极层覆盖所述虚拟沟道结构的远离所述叠层结构的端面、所述栅极缝隙结构的远离所述叠层结构的端面以及所述贯穿硅触点结构的远离所述叠层结构的端面。

11.根据权利要求1或10所述的制备方法，其特征在于，形成所述源极层的步骤包括：

在所述停止层的远离所述叠层结构的一侧形成掺杂的所述多晶硅层并进行退火处理，以形成源极层。

12.根据权利要求1或10所述的制备方法，其特征在于，形成所述源极层的步骤包括：

在所述停止层的远离所述叠层结构的一侧形成所述多晶硅层；以及

对所述多晶硅层进行掺杂和退火处理，以形成源极层。