[发明专利]三维集成结构及其制造方法

权利要求书

1.一种三维集成结构，其特征在于，包括：

衬底，具有第一连接端和第二连接端；

第一纳米电容，设于所述衬底一侧面，包括与第一底部金属电极层电连接的第一底部金属凸部，以及与第一顶部金属电极层电连接的第一顶部金属凸部；

第二纳米电容，与所述第一纳米电容分别设于所述衬底的另一侧面，所述第二纳米电容包括与第二底部金属电极层电连接的第二底部金属凸部和与第二顶部金属电极层电连接的第二顶部金属凸部；

导电组件，包括用于电连接所述第一底部金属凸部和所述第一连接端的第一底部连接件、用于电连接所述第一连接端和所述第二底部金属凸部的第二底部连接件、用于电连接所述第一顶部金属凸部和所述第二连接端的第一顶部连接件以及用于电连接所述第二连接端和所述第二顶部金属凸部的第二顶部连接件；

所述第一底部连接件、所述第二底部连接件、所述第一顶部连接件和所述第二顶部连接件均为金属引线，所述第一底部金属凸部和所述第一连接端、所述第一连接端和所述第二底部金属凸部、所述第一顶部金属凸部和所述第二连接端以及所述第二连接端和所述第二顶部金属凸部均为引线键合连接。

2.根据权利要求1所述的三维集成结构，其特征在于：

所述衬底包括第一隔离介质、金属阻挡层、金属籽晶层和金属层，所述衬底具有第一通孔和第二通孔，所述第一隔离介质、所述金属阻挡层、所述金属籽晶层和所述金属层依次从所述第一通孔和所述第二通孔的内侧面朝所述第一通孔和所述第二通孔中轴线设置填充，形成所述第一连接端和所述第二连接端。

3.根据权利要求2所述的三维集成结构，其特征在于：

所述第一连接端和所述第二连接端分别位于所述第一纳米电容的两侧边，且所述第一底部金属凸部、所述第一连接端和所述第二底部金属电极层设为同侧，所述第一顶部金属凸部、所述第二连接端和所述第二顶部金属凸部设为同侧。

4.根据权利要求3所述的三维集成结构，其特征在于：

所述第一纳米电容还包括第一交替层和第一绝缘介质，所述第一交替层内间隔设有若干第一异形槽，所述第一交替层的纵截面显示所述第一异形槽为“土”形，若干所述第一异形槽内依次沉积所述第一底部金属电极层、所述第一绝缘介质和所述第一顶部金属电极层。

5.根据权利要求4所述的三维集成结构，其特征在于：

还包括第二隔离介质；

所述第一纳米电容设有第一底部连接孔，所述第一底部连接孔导通至所述第一底部金属绝缘层；

所述第二隔离介质设于所述第一底部连接孔内侧面和所述第一顶部金属层上表面，所述第二隔离介质开设有第一顶部连接孔，所述第一顶部连接孔导通至所述第一顶部金属电极层。

6.根据权利要求5任意所述的三维集成结构，其特征在于：

所述第一底部金属凸部一端与所述第一底部连接孔连接，且接触所述第一底部金属电极层，所述第一顶部金属凸部一端与所述第一顶部连接孔连接，且接触所述第一顶部金属电极层。

7.根据权利要求6所述的三维集成结构，其特征在于：

所述第二纳米电容的结构与所述第一纳米电容的结构相对所述衬底镜像设置。