[发明专利]存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括基底，所述基底上设置有隔离层，所述隔离层内间隔排布有多条位线，多条所述位线沿第一方向排布，且每条所述位线呈S形；

其中，每条所述位线包括间隔排布且依次连接的多个第一位线结构和多个第二位线结构，所述第一位线结构沿第二方向延伸，所述第二方向相对所述第一方向倾斜设置，所述第二位线结构沿第三方向延伸，所述第三方向相对所述第一方向倾斜设置，且所述第三方向与所述第二方向相对所述第一方向的倾斜方向相反；

所述隔离层内间隔排布有多个位线接触柱塞，每个所述位线接触柱塞设置在对应的所述第一位线结构和所述第二位线结构的连接位置；

所述隔离层内还设置有多个有源区和多条字线，所述有源区一一对应设置在所述位线接触柱塞上；其中，每条所述字线包括多个栅极和多个字线结构，每个所述栅极对应设置在一个所述有源区内，多个所述栅极和多个所述字线结构一一间隔设置，每个所述字线结构用于连接相邻两个所述栅极。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，多条所述字线沿第四方向排布，每条所述字线沿所述第一方向延伸，所述第四方向与所述第一方向垂直设置。

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，每条所述字线包括的多个所述栅极对应设置在同一列所述有源区内，同一列所述有源区沿所述第一方向排布。

4.根据权利要求1-3任一项所述的存储器，其特征在于，所述字线包括金属层和介质层，所述介质层包括第一介质层、第二介质层和第三介质层，所述第一介质层的顶面设置所述金属层和所述第二介质层，所述第二介质层设置在所述金属层的相对两侧面，所述金属层的顶面和所述第二介质层的顶面设置所述第三介质层。

5.根据权利要求1-3任一项所述的存储器，其特征在于，每条所述字线上间隔设置有多个节点接触柱塞，每个所述节点接触柱塞与所述有源区的顶端电连接，所述节点接触柱塞与所述位线接触柱塞在垂直于所述基底方向上一一对应。

6.一种存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基底；

在所述基底上形成多条位线沟槽，多条所述位线沟槽沿第一方向排布，且每条所述位线沟槽呈S形；

在每条所述位线沟槽内形成第一隔离层，所述第一隔离层的厚度小于所述位线沟槽的深度；

在所述第一隔离层上形成位线，所述第一隔离层和所述位线的总厚度小于所述位线沟槽的深度，多条所述位线沿第一方向排布，且每条所述位线呈S形；其中，形成的每条所述位线包括间隔排布且依次连接的多个第一位线结构和多个第二位线结构，所述第一位线结构沿第二方向延伸，所述第二方向相对所述第一方向倾斜设置，所述第二位线结构沿第三方向延伸，所述第三方向相对所述第一方向倾斜设置，且所述第三方向与所述第二方向相对所述第一方向的倾斜方向相反；

在所述位线上形成第二隔离层，所述第二隔离层的顶面与所述基底的顶面平齐；

去除相邻的隔离墙之间的所述基底，且保留所述第一隔离层底面以下的所述基底，其中，所述隔离墙包括所述第一隔离层、所述位线以及所述第二隔离层；

在相邻的所述隔离墙之间的间隙内形成第三隔离层，所述第三隔离层、所述第二隔离层和所述第一隔离层共同形成隔离层；

去除所述第一位线结构和所述第二位线结构连接位置上的部分所述隔离层以形成多个凹孔，每个所述凹孔暴露出所述位线；

在每个所述凹孔中沉积第一层多晶硅以形成位线接触柱塞；

在所述位线接触柱塞上形成字线和位于字线两侧的有源区。

7.根据权利要求6所述的存储器的制备方法，其特征在于，在每个所述凹孔中沉积第一层多晶硅以形成位线接触柱塞的步骤，包括：

在每个所述凹孔中沉积所述第一层多晶硅，所述第一层多晶硅填充满所述凹孔且覆盖在保留下的所述隔离层上；

去除部分所述第一层多晶硅，保留下的所述第一层多晶硅位于所述凹孔中，并且保留下的所述第一层多晶硅的顶面低于所述隔离层的顶面，保留在所述凹孔中的所述第一层多晶硅形成所述位线接触柱塞。