[发明专利]一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法

说明书

本发明提供一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法，所述研磨方法包括：对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备；将所述研磨产品安装至所述研磨机，并对所述研磨产品进行研磨加工；对所述研磨机进行保养。所述研磨方法可以提高PPS大平面的研磨效果，使得PPS表面产生镜面效果，增加CMP Ring的研磨使用次数。

技术领域

本发明属于化学机械抛光领域，涉及一种PPS大平面研磨方法，尤其涉及一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法。

背景技术

化学机械抛光(CMP)是一种被普遍使用的平面化方法，在化学机械抛光时，抛光头夹持着晶圆，并将晶圆压紧在抛光垫上。晶圆在抛光时容纳在抛光头上的保持环之中，保持环起着容纳和定位晶圆的作用。在抛光过程中，抛光液和去离子水不断的与保持环接触，因此保持环需要具有一定的耐腐蚀性。

CN211103391U公开了一种化学机械研磨环，该化学机械研磨环包含第一环形部与第二环形部，第一环形部的材质可以是不锈钢，第二环形部的材质可以是高阶塑料，例如PPS(聚苯硫醚)。第二环形部包含内环面、外环面与下表面，其中下表面位于内环面与外环面之间。第二环形部还包含多个排水沟槽，各排水沟槽具有内开口、外开口、下开口与槽底面，内开口位于内环面，外开口位于外环面，下开口位于下表面，槽底面相对于下开口，其中各排水沟槽的截面的宽度自下开口朝槽底面渐扩。CN109420969A公开了一种研磨头和化学机械研磨装置，所述研磨头包括限位环，所述限位环与研磨垫相接触的面设置为曲面。该研磨头和化学机械研磨装置，有效改善了化学机械研磨过程中，限位环与研磨垫接触时产生的应力集中，减少了限位环对研磨垫的刮擦损伤，从而改善了半导体晶圆的化学机械研磨质量，有效提升了产品良率，同时也减少了生产成本。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法，所述研磨方法可以提高PPS大平面的研磨效果，使得PPS表面产生镜面效果，增加CMP Ring的研磨使用次数。

为达到上述技术效果，本发明采用以下技术方案：

本发明提供一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法，所述研磨方法包括：

对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备；

将所述研磨产品安装至所述研磨机，并对所述研磨产品进行研磨加工；

对所述研磨机进行保养。

本发明中，通过建立标准化的研磨流程和方法，有效提高了PPS大平面研磨的效率，提升了CMP Ring的研磨使用次数。同时通过研磨参数的合理设定，提高了PPS大平面的研磨效果，使其具有优异的镜面效果。

作为本发明优选的技术方案，所述研磨机的准备包括研磨液导管安装、研磨机清洗以及研磨机参数设置。

本发明中，所述研磨液导管安装包括：将导管套入蠕动泵的安装槽内，然后按下卡扣，把锁紧摇杆从左边摇到右边进行锁紧。

本发明中，所述研磨机清洗包括：将导管进水口放在盛有干净清水的量杯中，出水口放在另一个量杯中，开启设备空运行，先用DISK打磨至少5min，然后清水冲洗至少5min。

本发明中，研磨盘表面清洗完成后，将研磨垫安装，研磨垫与研磨盘需同心安装，且粘贴后中间无鼓包产生。

作为本发明优选的技术方案，所述参数设置包括压力设置、转速设置、蠕动泵设置以及研磨时间设置。

作为本发明优选的技术方案，所述压力包括工作压力以及主压力。