[发明专利]一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法有效

专利信息
申请号: 202110239923.2 申请日: 2021-03-04
公开(公告)号: CN112975586B 公开(公告)日: 2022-08-16
发明(设计)人: 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;章丽娜 申请(专利权)人: 宁波江丰电子材料股份有限公司
主分类号: B24B1/00 分类号: B24B1/00
代理公司: 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 代理人: 王岩
地址: 315400 浙江省宁波市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 200 mm cmp ring pps 平面 研磨 方法
【说明书】:

发明提供一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法,所述研磨方法包括:对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备;将所述研磨产品安装至所述研磨机,并对所述研磨产品进行研磨加工;对所述研磨机进行保养。所述研磨方法可以提高PPS大平面的研磨效果,使得PPS表面产生镜面效果,增加CMP Ring的研磨使用次数。

技术领域

本发明属于化学机械抛光领域,涉及一种PPS大平面研磨方法,尤其涉及一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法。

背景技术

化学机械抛光(CMP)是一种被普遍使用的平面化方法,在化学机械抛光时,抛光头夹持着晶圆,并将晶圆压紧在抛光垫上。晶圆在抛光时容纳在抛光头上的保持环之中,保持环起着容纳和定位晶圆的作用。在抛光过程中,抛光液和去离子水不断的与保持环接触,因此保持环需要具有一定的耐腐蚀性。

CN211103391U公开了一种化学机械研磨环,该化学机械研磨环包含第一环形部与第二环形部,第一环形部的材质可以是不锈钢,第二环形部的材质可以是高阶塑料,例如PPS(聚苯硫醚)。第二环形部包含内环面、外环面与下表面,其中下表面位于内环面与外环面之间。第二环形部还包含多个排水沟槽,各排水沟槽具有内开口、外开口、下开口与槽底面,内开口位于内环面,外开口位于外环面,下开口位于下表面,槽底面相对于下开口,其中各排水沟槽的截面的宽度自下开口朝槽底面渐扩。CN109420969A公开了一种研磨头和化学机械研磨装置,所述研磨头包括限位环,所述限位环与研磨垫相接触的面设置为曲面。该研磨头和化学机械研磨装置,有效改善了化学机械研磨过程中,限位环与研磨垫接触时产生的应力集中,减少了限位环对研磨垫的刮擦损伤,从而改善了半导体晶圆的化学机械研磨质量,有效提升了产品良率,同时也减少了生产成本。

发明内容

为解决上述技术问题,本发明提供一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法,所述研磨方法可以提高PPS大平面的研磨效果,使得PPS表面产生镜面效果,增加CMP Ring的研磨使用次数。

为达到上述技术效果,本发明采用以下技术方案:

本发明提供一种200mm CMP Ring PPS大平面研磨方法,所述研磨方法包括:

对研磨机、研磨液以及研磨产品进行准备;

将所述研磨产品安装至所述研磨机,并对所述研磨产品进行研磨加工;

对所述研磨机进行保养。

本发明中,通过建立标准化的研磨流程和方法,有效提高了PPS大平面研磨的效率,提升了CMP Ring的研磨使用次数。同时通过研磨参数的合理设定,提高了PPS大平面的研磨效果,使其具有优异的镜面效果。

作为本发明优选的技术方案,所述研磨机的准备包括研磨液导管安装、研磨机清洗以及研磨机参数设置。

本发明中,所述研磨液导管安装包括:将导管套入蠕动泵的安装槽内,然后按下卡扣,把锁紧摇杆从左边摇到右边进行锁紧。

本发明中,所述研磨机清洗包括:将导管进水口放在盛有干净清水的量杯中,出水口放在另一个量杯中,开启设备空运行,先用DISK打磨至少5min,然后清水冲洗至少5min。

本发明中,研磨盘表面清洗完成后,将研磨垫安装,研磨垫与研磨盘需同心安装,且粘贴后中间无鼓包产生。

作为本发明优选的技术方案,所述参数设置包括压力设置、转速设置、蠕动泵设置以及研磨时间设置。

作为本发明优选的技术方案,所述压力包括工作压力以及主压力。

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