[发明专利]一种自对准像素定义层结构及其加工方法

权利要求书

1.一种自对准像素定义层结构，其特征在于，具有：

衬底；

阳极，所述衬底上设有一系列的阳极，相邻阳极之间有间隙；

像素定义层，填充相邻阳极之间的间隙；所述像素定义层的侧壁与阳极的侧壁平齐；所述像素定义层通过干刻成型。

2.如权利要求1所述的自对准像素定义层结构，其特征在于，所述像素定义层材质包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

3.一种如权利要求1-2所述的自对准像素定义层结构的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在衬底上制备阳极；

2)在衬底和阳极上沉积像素定义层；

3)干刻像素定义层，干刻过程中，阳极侧壁的像素定义层会保留下来；

4)干刻减薄阳极，形成沉积像素定义层凹槽，最终形成像素定义层定义的阳极结构。

4.如权利要求3所述的自对准像素定义层结构的加工方法，其特征在于，上述第1)步包括阳极沉积、光刻、刻蚀、剥离，包括如下步骤：

a)PVD依次沉积ITO-底层、Al、ITO-顶层，厚度分别为100-500A、500-2000A、500-5000A，其中ITO沉积参数为：ITO靶材，压力10-1000mT，功率500-5000W，Ar气体流量10-100sccm，温度20-50℃，时间20-200s；Al沉积参数：Al靶材，压力10-500mT，功率500-2000W，Ar气体流量10-100sccm，室温，时间20-200s；

b)光刻机阳极光刻，涂胶：1-5um光刻胶，曝光：100-1000mj能量，显影：显影液显影60-300s；

c)干刻机刻蚀阳极，干刻参数：压力10-100mT，功率100-2000W，Ar流量10-100sccm，HBr流量10-100sccm，Cl₂流量10-100sccm，温度20-70℃，时间20-200s；

d)剥离机剥离光刻胶，剥离液剥离100-1000s，温度30-80℃。

5.如权利要求4所述的自对准像素定义层结构的加工方法，其特征在于，上述第2)步中，CVD沉积氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，厚度500-5000A，氮化硅沉积参数：压力10-100mT，功率200-2000W，SiH₄流量10-200sccm，NH₃流量10-100sccm，温度200-400℃，时间10-100s；氧化硅沉积参数：压力10-100mT，功率200-2000W，SiH₄流量10-200sccm，N₂O流量10-5000sccm，温度200-400℃，时间10-100s；氮氧化硅沉积参数：压力10-100mT，功率200-2000W，SiH₄流量10-200sccm，N₂O流量10-400sccm，温度200-400℃，时间10-100s。

6.如权利要求5所述的自对准像素定义层结构的加工方法，其特征在于，上述第3)步中，干刻机刻蚀氮化硅、氧化硅或氮氧化硅，刻蚀厚度500-5000A；干刻参数：压力10-100mT，功率100-2000W，Ar气体流量10-100sccm，CHF₃气体流量10-100sccm，O₂气体流量10-100sccm，温度20-70℃，时间100-2000s。

7.如权利要求6所述的自对准像素定义层结构的加工方法，其特征在于，上述第4)步中，干刻机刻蚀减薄ITO；刻蚀减薄顶层ITO 300-3000A，干刻参数：压力10-100mT，功率100-1000W，Ar气体流量10-100sccm，Cl₂气体流量10-100sccm，HBr气体流量10-100sccm，温度20-70℃，时间20-200s。