[发明专利]基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件及制备方法

权利要求书

1.一种基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：在硅衬底（1）上开设有至少四个凹槽（2），对凹槽（2）的侧面与底面的硅衬底（1）以及硅衬底（1）的上表面进行高温氧化而形成二氧化硅介质层（3），在每个凹槽（2）内均填充有多晶硅，位于最左侧与最右侧凹槽（2）内的多晶硅形成接地多晶硅（4），位于中部凹槽（2）内的多晶硅形成高压隔离电容器件多晶硅（5），在多晶硅的上表面设有绝缘覆盖二氧化硅层（6），在绝缘覆盖二氧化硅层（6）上设有绝缘覆盖氮化硅层（7），在绝缘覆盖二氧化硅层（6）与绝缘覆盖氮化硅层（7）上开设接触孔，在接触孔内设有与接地多晶硅（4）相连的接地多晶硅引出电极（8）以及与高压隔离电容器件多晶硅（5）相连的高压隔离电容器件多晶硅引出电极（9）。

2.根据权利要求1所述的基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：所述相邻凹槽（2）之间的二氧化硅介质层（3）呈增厚设置。

3.根据权利要求1或2所述的基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：所述二氧化硅介质层（3）的厚度为5~15um。

4.根据权利要求1所述的基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：所述凹槽（2）的宽度为5~10um、凹槽（2）的深度为10~30um且相邻凹槽（2）的间距为5~10um。

5.根据权利要求1所述的基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：所述沟槽型高压隔离电容器件器件为轴对称结构，关于器件的中心轴呈左右对称设置。

6.根据权利要求1所述的基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：所述绝缘覆盖二氧化硅层（6）的厚度为5~15um，所述绝缘覆盖氮化硅层（7）的厚度为2~5um。

7. 根据权利要求6所述的基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：所述绝缘覆盖二氧化硅层（6）与绝缘覆盖氮化硅层（7）的厚度之比为 (3~4):1。

8. 根据权利要求7所述的基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件，其特征是：所述绝缘覆盖二氧化硅层（6）与绝缘覆盖氮化硅层（7）的厚度之比为 3:1。

9.一种基于Trench工艺的沟槽型高压隔离电容器件的制备方法，其特征是该制备方法包括以下步骤：

步骤一、提供硅衬底（1）；

步骤二、对硅衬底（1）的上表面进行高温氧化，形成二氧化硅层；

步骤三、利用Trench工艺在硅衬底（1）上依次形成至少4个凹槽（2），相邻凹槽（2）之间形成硅柱体；

步骤四、通过高温氧化，在凹槽（2）的侧面以及底面形成二氧化硅介质层（3）；

步骤五、在凹槽（2）内填充多晶硅；

步骤六、反刻蚀多晶硅，使凹槽（2）内残余一层多晶硅；

步骤七、再次高温氧化，使位于凹槽（2）侧面的二氧化硅介质层（3）厚度增大，同时凹槽（2）内残余的一层多晶硅被氧化成二氧化硅，使得位于凹槽（2）底面的二氧化硅介质层（3）厚度增大；

步骤八、在凹槽（2）内再次填充多晶硅；

步骤九、按要求决定重复步骤六至步骤八的次数；

步骤十、再次反刻蚀多晶硅，形成位于最左侧与最右侧凹槽（2）内的接地多晶硅（4）以及位于中部凹槽（2）内的高压隔离电容器件多晶硅（5）；

步骤十一、先在接地多晶硅（4）与高压隔离电容器件多晶硅（5）的上表面淀积绝缘覆盖二氧化硅层（6），再在绝缘覆盖二氧化硅层（6）上淀积绝缘覆盖氮化硅层（7）；

步骤十二、逐层开接触孔并作出接地多晶硅引出电极（8）与高压隔离电容器件多晶硅引出电极（9）。