[发明专利]一种基团修饰碳材料限域活性电解质的方法

权利要求书

1.一种基团修饰碳材料限域活性电解质的方法，其特征在于：包括

步骤(1)利用表面改性方法将基团修饰至碳材料的表面，基团选用硼酸根时，对碳材料先进行预处理，随后进行循环的浸泡和干燥，最后使用化学气相沉积法，在碳材料表面引入硼酸根离子官能团；

步骤(2)将步骤1获得的表面修饰后的碳材料使用活性电解质进行测试。

2.根据权利要求1所述的基团修饰碳材料限域活性电解质的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，基团选用有机硅烷时，先对碳材料进行预处理，再将-OH基团修饰到碳材料的表面，最后将有机硅烷修饰到碳材料的表面上。

3.根据权利要求1所述的基团修饰碳材料限域活性电解质的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，基团选用烷基膦酸酯时，先对碳材料进行预处理，再将-OH修饰到碳材料的表面，最后通过液相反应将烷基膦酸酯修饰到碳材料的表面。

4.根据权利要求1所述的基团修饰碳材料限域活性电解质的方法，其特征在于：所述步骤(1)中，基团选用羧酸分子时，先将-OH修饰到碳材料的表面，再通过溶剂热反应将羧酸分子修饰到碳材料的表面。

5.根据权利要求1所述的基团修饰碳材料限域活性电解质的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，碳材料选用碳纳米管时，活性 电解质选用1M Na2SO4+0.03M K3[Fe(CN)6]。

6.根据权利要求1所述的基团修饰碳材料限域活性电解质的方法，其特征在于：所述步骤(2)中，碳材料选用多孔碳时，活性电解质选用1M H2SO4+0.1M KI。