[发明专利]一种晶圆芯片切割方法有效
申请号: | 202110237414.6 | 申请日: | 2021-03-04 |
公开(公告)号: | CN112599413B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 刘剑;何瑶;高忠明 | 申请(专利权)人: | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 范文苑 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 切割 方法 | ||
1.一种晶圆芯片切割方法,刀具切割完第一切割方向上所有第一切割道(6)后对第二切割方向上的所有第二切割道(7)进行切割,所述第一切割方向与第二切割方向相互垂直,且所述第一切割方向与晶圆芯片(1)的中轴线平行或垂直,其特征在于,至少在所述第二切割方向上,所述刀具每次的出刀位置均在所述晶圆芯片(1)的有效区内。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆芯片切割方法,其特征在于,所述刀具对同一所述第二切割道(7)进行两次切割,第一次所述刀具从所述第二切割道(7)的一端向所述有效区进行切割至某一位置,第二次所述刀具从同一所述第二切割道(7)的另一端向所述有效区进行切割至某一位置,同一所述第二切割道(7)两次切割的出刀位置均位于所述有效区内同一位置。
3.根据权利要求2所述的一种晶圆芯片切割方法,其特征在于,所有所述第二切割道(7)的出刀位置均在同一直线上,所述直线与所述第一切割方向平行。
4.根据权利要求3所述的一种晶圆芯片切割方法,其特征在于,所述直线与所述中轴线重合。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆芯片切割方法,其特征在于,切割所述第二切割道(7)包括以下步骤:
S10,所述刀具逐一对所有所述第二切割道(7)沿相同切割方向进行第一次切割;
S20,将所述晶圆芯片(1)绕所述晶圆芯片(1)的圆心旋转180度;
S30,所述刀具逐一对所有所述第二切割道(7)进行第二次切割,与第一次切割的切割方向相同。
6.根据权利要求1-5任一所述的一种晶圆芯片切割方法,其特征在于,所述刀具对同一所述第一切割道(6)从一端到另一端一次切割完成。
7.根据权利要求1-5任一所述的一种晶圆芯片切割方法,其特征在于,所述第一切割方向与晶圆芯片(1)的中轴线平行。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造