[发明专利]用于MEMS器件的CMOS封盖

权利要求书

1.一种器件，包括：

衬底，制备有具有CMOS器件的互补金属氧化物半导体(CMOS)区和具有MEMS组件的微机电系统(MEMS)区的传感器区；和

CMOS兼容封盖，设置在CMOS区和MEMS区上方的衬底上，其中CMOS兼容封盖包括CMOS层，CMOS兼容封盖在MEMS区上方升高，以在封盖和MEMS区之间提供盖腔。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述封盖包括：

具有CMOS IR透明底盖层的底盖，该底盖包括盖释放开口；和

密封盖，用于密封底盖中的盖释放开口。

3.根据权利要求2所述的器件，其中，所述密封盖包括密封所述释放开口的CMOS IR透明密封盖层。

4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述密封盖包括：

CMOS IR非透明密封盖层，其密封所述释放开口，其中所述密封盖层被图案化以暴露所述CMOS IR透明底盖层，以允许IR在密封所述底盖的同时传输至所述MEMS区；和

CMOS IR透明密封盖层，设置在CMOS IR非透明图案化密封盖层上。

5.根据权利要求2所述的器件，其中，所述底盖包括：

具有奇数个CMOS底盖层的底盖堆叠；和

其中，所述奇数个CMOS底盖层包括交替的氧化硅和非晶硅层，其中，底盖堆叠的顶部底盖层和底部底盖层包括氧化硅。

6.根据权利要求1至5中的任一项所述的器件，其中，所述MEMS组件包括热电IR传感器。

7.根据权利要求2至5中的任一项所述的器件，其中，当所述MEMS组件包括热电IR传感器单元阵列时，所述封盖包括

围绕MEMS区的外轴承壁，

内轴承壁，包括相邻传感器单元之间的通道，以在整个传感器单元阵列上提供均匀的真空，其中，外轴承壁和内轴承壁构造为形成围绕所述传感器单元的微型壳体，以及

其中，所述底盖包括用于所述微型壳体的释放开口。

8.一种形成器件的方法，包括：

提供衬底，该衬底制备有具有CMOS器件的互补金属氧化物半导体(CMOS)区和具有MEMS组件的微机电系统(MEMS)区的传感器区；和

在CMOS区和MEMS区上方的衬底上形成CMOS兼容封盖，其中所述CMOS兼容封盖包括CMOS层，CMOS兼容封盖在MEMS区上方升高，以在封盖和MEMS区之间提供盖腔。

9.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述封盖包括：

形成具有CMOS IR透明底盖层的底盖，所述底盖包括盖释放开口；和

形成用于密封所述底盖中的所述盖释放开口的密封盖，其中该密封盖包括密封所述释放开口的CMOS IR透明密封盖层。

10.根据权利要求8或9所述的方法，其中，所述MEMS组件包括热电IR传感器。