[发明专利]底板的污染防止方法在审

专利信息
申请号: 202110236189.4 申请日: 2021-03-03
公开(公告)号: CN113371716A 公开(公告)日: 2021-09-10
发明(设计)人: 岡田哲郎;星野成大;石田昌彦 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C01B33/035 分类号: C01B33/035
代理公司: 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 代理人: 郁旦蓉
地址: 日本国东京都千*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 底板 污染 防止 方法
【权利要求书】:

1.一种底板的污染防止方法,其特征在于,包括:

在具有底板以及覆盖所述底板的盖的反应器内制造多晶硅后,从所述底板除去所述盖的工序;以及

通过隔离装置隔离包含所述底板的空间的工序。

2.根据权利要求1所述的底板的污染防止方法,其特征在于:

其中,所述隔离装置具有能够经由过滤器向所述底板吹送气体过滤器单元,

在通过隔离装置将包含所述底板的空间隔离的工序中,所述过滤器单元向所述底板吹送气体。

3.根据权利要求2所述的底板的污染防止方法,其特征在于:

其中,所述过滤器单元每小时提供所述隔离装置内容量的30倍以上的气体。

4.根据权利要求2所述的底板的污染防止方法,其特征在于:

其中,所述过滤器单元每小时提供所述隔离装置内容量的90倍以上的气体。

5.根据权利要求1或2所述的底板的污染防止方法,其特征在于:其中,所述隔离装置具有移动部,

在通过隔离装置隔离包含所述底板的空间的工序之前,利用移动部移动所述隔离装置。

6.根据权利要求1或2所述的底板的污染防止方法,其特征在于:

其中,在除去所述隔离装置并将所述盖设置在所述底板上之后,开始下一个多晶硅的制造的工序。

7.根据权利要求1或2所述的底板的污染防止方法,其特征在于:

其中,在所述多晶硅的制造结束后,利用从所述底板除去所述盖后,直至为了开始下一个多晶硅的制造而将所述盖设置在所述底板上为止的70%以上的时间,来通过隔离装置隔离包含所述底板的空间。

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