[发明专利]开关电源及其控制芯片

权利要求书

1.一种用于开关电源的控制芯片，包括高压N沟道结型场效应晶体管JFET、电流路径控制模块、脉宽调制PWM控制模块、功率监测模块、以及结型场效应晶体管JFET控制模块，其中：

所述高压N沟道结型场效应晶体管JFET的漏极连接所述控制芯片的高压输入脚、源极连接所述电流路径控制模块、栅极连接所述结型场效应晶体管JFET控制模块；

所述电流路径控制模块被配置为控制所述高压N沟道结型场效应晶体管JFET与所述控制芯片的内部电路之间的电流路径的导通与关断；

所述脉宽调制PWM控制模块表征所述控制芯片的内部电路中的耗电部分，并且被配置为控制所述开关电源中的功率开关的导通与关断；

所述功率监测模块被配置为监测所述脉宽调制PWM控制模块的功率消耗，并根据所述脉宽调制PWM控制模块的功率消耗生成功耗控制信号；并且

所述结型场效应晶体管JFET控制模块被配置为根据所述功耗控制信号生成动态响应控制信号、调节控制信号、以及预判控制信号，并根据所述动态响应控制信号、所述调节控制信号、以及所述预判控制信号控制所述高压N沟道结型场效应晶体管JFET的栅极电压，从而控制所述高压N沟道结型场效应晶体管JFET提供给所述控制芯片的内部电路的电流。

2.根据权利要求1所述的控制芯片，其中，所述电流路径控制模块进一步被配置为根据其自身的电流输入端口和电流输出端口之间的电压差值，控制所述高压N沟道结型场效应晶体管JFET与所述控制芯片的内部电路之间的电流路径的导通与关断。

3.根据权利要求1所述的控制芯片，其中，所述电流路径控制模块进一步被配置为根据其自身的电流输出端口的电压，控制所述高压N沟道结型场效应晶体管JFET与所述控制芯片的内部电路之间的电流路径的导通与关断。

4.根据权利要求1所述的控制芯片，其中，所述功率监测模块进一步被配置为通过监测所述脉宽调制PWM控制模块的电流消耗、电源电压、以及由所述脉宽调制PWM控制模块生成的用于控制所述功率开关的导通与关断的开关控制信号中的至少一者，监测所述脉宽调制PWM控制模块的功率消耗。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的控制芯片，其中，所述功率监测模块进一步被配置为根据所述脉宽调制PWM控制模块的功率消耗生成路径控制信号，并且所述电流路径控制模块进一步被配置为根据所述路径控制信号控制所述高压N沟道结型场效应晶体管JFET与所述控制芯片的内部电路之间的电流路径的导通与关断。

6.根据权利要求1所述的控制芯片，其中，所述电流路径控制模块进一步被配置为在其自身的电流输入端口和电流输出端口之间的电压差值低于第一阈值时，关断所述高压N沟道结型场效应晶体管JFET与所述控制芯片的内部电路之间的电流路径。

7.根据权利要求1所述的控制芯片，其中，所述电流路径控制模块进一步被配置为在其自身的电流输出端口的电压超过第二阈值时，关断所述高压N沟道结型场效应晶体管JFET与所述控制芯片的内部电路之间的电流路径。

8.一种开关电源，包括权利要求1至7中任一项所述的用于开关电源的控制芯片。