[发明专利]高密度层错的碳化硅材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110235027.9 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113024277B | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李炳生;戴亚堂;徐帅 | 申请（专利权）人： | 西南科技大学 |
| 主分类号： | C04B41/00 | 分类号： | C04B41/00 |
| 代理公司： | 成都方圆聿联专利代理事务所(普通合伙) 51241 | 代理人： | 宋红宾 |
| 地址： | 621010 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高密度 碳化硅 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.高密度层错的碳化硅材料制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步：选择烧结碳化硅；
第二步：利用硅源对碳化硅材料进行硅离子辐照；硅离子辐照条件为：辐照能量为500keV-5 MeV，辐照流强为1-10微安，辐照剂量为1-10×1015/cm2，室温辐照；
第三步：退火处理；退火条件为：温度为900-1200℃，保温30分钟，采用加热棒升温，自然降温。
2.根据权利要求1所述的高密度层错的碳化硅材料制备方法，其特征在于，第一步中的碳化硅为六方结构，晶粒尺寸在4-10μm，致密度3.1g/cm3，六方结构碳化硅相含量≥98%，杂质含量控制在2%范围。
3.高密度层错的碳化硅材料，其特征在于，根据权利要求1或2所述的制备方法所得。
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