[发明专利]发光二极管和包括该发光二极管的显示装置在审

专利信息
申请号: 202110235007.1 申请日: 2021-03-03
公开(公告)号: CN113363397A 公开(公告)日: 2021-09-07
发明(设计)人: 李宝罗;高效敏 申请(专利权)人: 三星显示有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L27/32
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 张燕;朴圣洁
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 包括 显示装置
【说明书】:

本公开涉及发光二极管和包括该发光二极管的显示装置。本公开的实施方式的发光二极管包括第一电极,在第一电极的上部上且具有第一折射率的空穴传输区,在空穴传输区的上部上且具有小于第一折射率的第二折射率的发射层,在发射层的上部上的电子传输区,以及在电子传输区的上部上的第二电极。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年3月3日提交的韩国专利申请第10-2020-0026766号的优先权和权益,其全部内容通过引用由此并入。

技术领域

本公开的实施方式涉及发光二极管和包括该发光二极管的显示装置,并且例如涉及含有低折射发射层的发光二极管和包括该发光二极管的显示装置。

背景技术

正在开发各种显示装置比如电视、移动电话、平板电脑、导航装置和用于多媒体装置的游戏控制台。这些显示装置使用所谓的自发光显示二极管,其中在对电极之间的发射层中包括有机化合物和/或量子点等的发光材料发光以实现显示。

在显示装置中应用发光二极管时,存在对于具有高发光效率和长使用寿命的发光二极管的需求,并且对于能够稳定地获得这种特性的发光二极管的结构的开发正在持续进行研究。

发明内容

本公开的实施方式提供了展示卓越的光提取效率的发光二极管。

本公开的实施方式还提供了包括具有高发光效率的发光二极管的显示装置。

本公开的实施方式提供了发光二极管,其包括:第一电极;在第一电极的上部上且具有第一折射率的空穴传输区;在空穴传输区的上部上且具有小于第一折射率的第二折射率的发射层;在发射层的上部上的电子传输区;以及在电子传输区的上部上的第二电极。

在实施方式中,第一折射率和第二折射率之间的差可大于0.1。

在实施方式中,第一折射率可为1.7至2.2,并且第二折射率可为1.2至1.7。

在实施方式中,发射层可包括有机材料和有机发光材料,有机材料具有1.2至1.7的折射率。

在实施方式中,发射层可包括直接在空穴传输区的上部上的第一发射层和在第一发射层的上部上的第二发射层,其中第一发射层可具有第二折射率。

在实施方式中,第二发射层可具有第三折射率,其中第三折射率可等于或大于第二折射率。

在实施方式中,第三折射率可在1.2至2.0的范围内。

在实施方式中,第一发射层与第二发射层的厚度比可在1:9至9:1的范围内。

在实施方式中,第一发射层的厚度和第二发射层的厚度之和可在10nm至60nm的范围内。

在实施方式中,第一发射层和第二发射层可发射具有相同中心波长的光。

在实施方式中,空穴传输区可包括直接在发射层的下部上的第一空穴传输层和在第一空穴传输层的下部上的第二空穴传输层,其中第一空穴传输层可具有第一折射率。

在实施方式中,第一电极可为反射电极,并且第二电极可为透射电极或透反射电极。

在实施方式中,发光二极管可进一步包括在第二电极的上部上的封盖层。

本公开的实施方式提供了发光二极管,其包括:第一电极;在第一电极的上部上且具有第一折射率的空穴传输区;在空穴传输区的上部上且具有第二折射率的第一发射层;在第一发射层的上部上的第二发射层;在第二发射层的上部上的电子传输区;以及在电子传输区的上部上的第二电极,其中第一折射率比第二折射率大0.1或更大。

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