[发明专利]一种调控磁性薄膜本征阻尼因子的方法

权利要求书

1.一种调控NiFe薄膜磁性本征阻尼因子的方法，其特征是，使用电子束蒸发生长方法在Si基片上沉积出20±10nm厚的带状长条NiFe薄膜；带状长条的长度为宽度的20-200倍。对于生长后的样品，在NiFe薄膜带状长条两端引出电极A和B，通过电极A和B向NiFe带状长条中注入电流，所述的外加注入电流密度为1×10⁵-6×10⁵A/cm²。

2.调控NiFe薄膜磁性本征阻尼因子的方法，其特征是，

NiFe带状薄膜中的电流密度从小增加到1×10⁵A/cm²、3×10⁵A/cm²、5×10⁵A/cm²、6×10⁵A/cm²；电流密度从小逐渐增加，本征阻尼因子从0.11增加到0.22以上，NiFe带状薄膜中的电流密度从大1×10⁵A/cm²、3×10⁵A/cm²、5×10⁵A/cm²、6×10⁵A/cm²再逐渐减少到0，本征阻尼因子有所减少。

3.根据权利要求1所述的调控NiFe薄膜磁性本征阻尼因子的方法，其特征是，所述的NiFe带状长条中，NiFe带状长条的宽度为500μm，厚度为20nm。