[发明专利]一种开关管电路结构及电路系统

说明书

本发明公开了一种开关管电路结构及电路系统，包括：第一开关管以及第二开关管，第一开关管的输入端能够与外部正电源连接，第二开关管的输出端能够与外部负电源连接，第一开关管的输出端以及第二开关管的输入端均接地；驱动单元，驱动单元分别与第一开关管的控制端以及第二开关管的控制端连接。在第一开关管导通并且第二开关管截止的情况下，正电源通过第一开关管与地构成回路进行泄放，使得第二开关管不会承受正电源与负电源之间的全部电压差，实现减少施加在第二开关管上电压大小的效果，同理，在第一开关管截止并且第二开关管导通的情况下，亦能够减少施加在第一开关管上电压大小的效果，有利于降低第一开关管与第二开关管被损坏的几率。

技术领域

本发明涉及开关管领域，特别涉及一种开关管电路结构及电路系统。

背景技术

开关管作为常用的电子元件，被广泛应用在不同产品设备当中，其中IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，因而常用于功率电路、测试电路等大电流高功率的电路当中。

两个开关管连接构成半桥是常用的电路结构。现有技术中，为了实现某些功能，有时候需要在半桥的一端连接正电压，而在半桥的另一端连接负电压，此时当半桥中一个开关管导通并且另一个开关管截止的时候，正电压与负电压之间的电压差几乎全施加在截止的开关管上，令开关管受电压较高。并且结合电路中杂散电感等因素，使得开关管截止或导通时会产生尖峰电压，导致在正电压配合负电压使用的情况下，开关管容易受电压过高而被击穿损坏。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种开关管电路结构，其能够在正电源配合负电源使用的情况下，降低第一开关管和第二开关管被损坏的几率。

本发明还提出电路系统，其能够在正电源配合负电源使用的情况下，降低第一开关管和第二开关管被损坏的几率。

根据本发明第一方面实施例的一种开关管电路结构，包括：第一开关管以及第二开关管，所述第一开关管的输入端能够与外部正电源连接，所述第二开关管的输出端能够与外部负电源连接，所述第一开关管的输出端与所述第二开关管的输入端连接并且接地；驱动单元，所述驱动单元分别与所述第一开关管的控制端以及所述第二开关管的控制端连接。

根据本发明实施例的一种开关管电路结构，至少具有如下有益效果：驱动单元控制第一开关管与第二开关管工作，通过第一开关管的输出端与第二开关管的输入端连接后接地，使得在第一开关管导通并且第二开关管截止的情况下，正电源通过第一开关管与地构成回路进行泄放，使得第二开关管不会承受正电源与负电源之间的全部电压差，实现减少施加在第二开关管上电压大小的效果，同理，在第一开关管截止并且第二开关管导通的情况下，亦能够减少施加在第一开关管上电压大小的效果。以此结构，第一开关管与第二开关管均导通或均截止时，与传统结构流经的电流大小相同，在其中之一截止并且另一导通时，有利于降低第一开关管与第二开关管被损坏的几率，提高可靠性。

根据本发明的一些实施例，所述第一开关管与所述第二开关管均为IGBT。

根据本发明的一些实施例，还包括第一续流二极管以及第二续流二极管，所述第一续流二极管的阴极与所述第一开关管的输入端连接，所述第一续流二极管的阳极与所述第一开关管的输出端连接，所述第二续流二极管的阴极与所述第二开关管的输入端连接，所述第二续流二极管的阳极与所述第二开关管的输出端连接。

根据本发明的一些实施例，还包括尖峰吸收模块，所述尖峰吸收模块与所述第一开关管和/或第二开关管连接。

根据本发明的一些实施例，所述尖峰吸收模块包括至少一个吸收单元；

所述吸收单元的输入端与所述第一开关管的输入端连接，所述吸收单元的输出端接地；