[发明专利]一种磁屏蔽腔体、测量系统及测量方法

说明书

本发明实施例涉及磁屏蔽腔体、测量系统及测量方法，磁屏蔽腔体用于形成零磁场环境，包括内腔体、外腔体、第一延伸板和第二延伸板，内腔体具有第一开口；外腔体具有第二开口；外腔体包覆于内腔体的外部，且第二开口对应于第一开口；第一延伸板连接于第二开口的边缘，并向外部延伸；第二延伸板连接于第二开口的边缘，并与第一延伸板相对设置，且向外部延伸；第一延伸板和第二延伸板之间形成一平移通道；其中，外界物体能够通过一次平移运动依次穿过平移通道、第二开口和第一开口而进入内腔体内部。

技术领域

本发明涉及磁场形态扫描技术领域，具体而言，涉及一种磁屏蔽腔体、测量系统及测量方法。

背景技术

在磁场形态扫描中，最常用的器件是霍尔效应传感器。霍尔效应传感器的电压输出和空间磁场大小成正比例关系，即磁场越高，霍尔效应传感器的输出电压越大。

在磁场强度为零的情况下，霍尔效应传感器的电压输出值理论上应该为零。但是在实践中，霍尔效应传感器无法做到电压输出为零。一般来说，在磁场强度为零时，霍尔效应传感器的电压输出是一个毫伏或微伏量级的固有偏置电压，这个偏置电压会引入磁场测量的误差。在高精度磁场测量中，必须要精确测量偏置电压并且通过数据处理的方法消除。

为了能够精确地测量出霍尔效应传感器的偏置电压，需要将霍尔效应传感器放置在一个不受外界空间磁场干扰的零磁场空间内。然而，由于相关技术中的能够形成零磁场环境的磁屏蔽腔体的设计不够优良，导致测量过程繁琐。

发明内容

本发明实施例提供一种简化测量过程的磁屏蔽腔体、测量系统及测量方法。

本发明实施例的磁屏蔽腔体，用于形成零磁场环境，所述磁屏蔽腔体包括：内腔体、外腔体、第一延伸板和第二延伸板，内腔体具有第一开口；外腔体具有第二开口；所述外腔体包覆于所述内腔体的外部，且所述第二开口对应于所述第一开口；第一延伸板连接于所述第二开口的边缘，并向外部延伸；第二延伸板连接于所述第二开口的边缘，并与所述第一延伸板相对设置，且向外部延伸；所述第一延伸板和所述第二延伸板之间形成一平移通道；其中，外界物体能够通过一次平移运动依次穿过所述平移通道、所述第二开口和所述第一开口而进入所述内腔体内部。

根据本发明的一些实施方式，所述外界物体为霍尔传感器；

其中，沿着与所述平移运动的方向相反的方向移动所述霍尔传感器，所述霍尔传感器能够从所述内腔体移出，以测量被测磁铁的磁场强度。

根据本发明的一些实施方式，所述内腔体和所述外腔体均为圆柱型结构。

根据本发明的一些实施方式，所述内腔体包括内侧壁、连接于所述内侧壁一端的内顶壁和连接于所述内侧壁另一端的内底壁；

所述第一开口包括第一子开口和第二子开口，所述第一子开口设于所述内侧壁，所述第二子开口设于所述内底壁，所述第一子开口与所述第二子开口相连通。

根据本发明的一些实施方式，所述第一子开口沿着所述内腔体的轴向方向设置，所述第二子开口沿着所述内腔体的径向方向设置。

根据本发明的一些实施方式，所述第一子开口的长度大于所述内侧壁高度的一半，以使所述外界物体能够移动至所述内腔体的沿轴向方向的中心。

根据本发明的一些实施方式，所述第二子开口的长度大于所述内底壁的半径，以使所述外界物体能够移动至所述内腔体的沿径向方向的中心。

根据本发明的一些实施方式，所述外腔体包括外侧壁、连接于所述外侧壁一端的外顶壁和连接于所述外侧壁另一端的外底壁；

所述第二开口包括第三子开口和第四子开口，所述第三子开口设于所述外侧壁，且与所述第一子开口对应设置，所述第四子开口设于所述外底壁，且与所述第二子开口对应设置；所述第三子开口和所述第四子开口相连通。