[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110231275.6 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113178418A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杨芷欣;陈燕铭;杨丰诚;李宗霖;李威养;陈殿豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/092;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
栅极结构，在垂直方向上设置在所述衬底上方，其中，所述栅极结构在第一水平方向上延伸；以及
空气间隔件，在与所述第一水平方向不同的第二水平方向上设置为与所述栅极结构的第一部分相邻，其中，所述空气间隔件在由所述垂直方向和所述第一水平方向限定的截面侧视图中具有垂直边界。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述垂直边界包括线性分量。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述垂直边界包括半圆形分量。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述垂直边界包括梯形分量。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
第一介电间隔件，直接设置在所述栅极结构的侧壁上；以及
第二介电间隔件，设置为与所述空气间隔件相邻，其中，所述空气间隔件设置在所述第一介电间隔件和所述第二介电间隔件之间。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：第三介电间隔件，设置在所述第一介电间隔件和所述第二介电间隔件之间，其中，所述第三介电间隔件与所述空气间隔件形成垂直边界。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极结构包括不具有设置为与其相邻的空气间隔件的第二部分。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中：
所述栅极结构的所述第一部分是第一晶体管的一部分；
所述栅极结构的所述第二部分是第二晶体管的一部分；以及
所述第一晶体管具有比所述第二晶体管更大的速度。
9.一种半导体器件，包括：
衬底；
栅极结构，在垂直方向上位于所述衬底上方，其中，所述栅极结构在第一水平方向上延伸；
空气间隔件，在所述第一水平方向上延伸，其中，所述空气间隔件在与所述第一水平方向不同的第二水平方向上与所述栅极结构分隔开，其中，所述空气间隔件位于与所述栅极结构的第一段相邻的位置；以及
第一介电间隔件，在所述第二水平方向上延伸，其中，所述第一介电间隔件位于与所述栅极结构的第二段相邻的位置，并且其中，所述第一介电间隔件和所述空气间隔件形成边界。
10.一种形成半导体器件的方法，包括：
在衬底上方形成栅极结构，其中，所述栅极结构至少包括第一介电间隔件和第二介电间隔件，并且其中，在顶视图中，所述栅极结构、所述第一介电间隔件和所述第二介电间隔件的每个在第一水平方向上延伸；
在所述栅极结构上方形成图案化的硬掩模结构，其中，所述图案化的硬掩模结构限定暴露所述栅极结构的部分的开口；以及
通过所述开口实施蚀刻工艺以通过至少部分去除所述第一介电间隔件来形成空气间隔件，其中，所述图案化的硬掩模结构在所述蚀刻工艺期间用作蚀刻掩模。
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