[发明专利]一种原子荧光测铊仪在审
| 申请号： | 202110231249.3 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN112903652A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 杨啸涛;陈建钢 | 申请（专利权）人： | 上海华之光谱仪器有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64 |
| 代理公司： | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人： | 刘常宝 |
| 地址： | 201700 上海市青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 原子 荧光 测铊仪 | ||
1.一种原子荧光测铊仪，其特征在于，包括：
光学系统、电子系统，所述光学系统与所述电子系统电连接；
所述光学系统包括：顺次设置的激发光源装置、接收光源装置、转化光源装置，所述激发光源装置激发铊原子发射谱线经过接受光源装置后，再通过转化光源装置将光信号转化成电信号传递；
所述接收光源装置包括：顺次设置的激发光源滤色片(3)、激发光源的聚光透镜系统(4)、原子化器(5)，荧光接受聚光透镜系统(6)、荧光波长滤色片(7)；
所述转化光源装置包括光电倍增管(8)；
所述电子系统包括前置放大器(9)，所述前置放大器(9)与所述光电倍增管(8)电连接，放大所述光电倍增管(8)转化的电信号。
2.根据权利要求1所述的一种原子荧光测铊仪，其特征在于，所述激发光源装置包括铊锐线光源(1)。
3.根据权利要求2所述的一种原子荧光测铊仪，其特征在于，所述铊锐线光源(1)包括铊无极放电灯光源，铊空心阴极灯光源中任意一项。
4.根据权利要求1所述的一种原子荧光测铊仪，其特征在于，所述激发光源滤色片(3)包括窄带滤色片、高通滤色片中任意一项。
5.根据权利要求4所述的一种原子荧光测铊仪，其特征在于，所述窄带滤色片为377.5nm的窄带滤色片。
6.根据权利要求4所述的一种原子荧光测铊仪，其特征在于，所述高通滤色片为535.1nm的高通滤色片。
7.根据权利要求1所述的一种原子荧光测铊仪，其特征在于，所述光电倍增管(8)为非日盲光电倍增管。
8.根据权利要求7所述的一种原子荧光测铊仪，其特征在于，所述非日盲光电倍增管的光谱响应范围为320～700nm。
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