[发明专利]一种采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 202110230544.7 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113097072B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 曹正义;吴云;顾晓文;魏仲夏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 介质 牺牲 工艺 制备 石墨 场效应 晶体管 方法 | ||
1.一种采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法，其特征在于，包括步骤如下：
(1)石墨烯转移：采用CVD生长石墨烯，在石墨烯表面蒸发一层金属，采用金属转移石墨烯工艺，将石墨烯转移到绝缘衬底上；
(2)隔离区工艺：在衬底表面，采用平面光刻显影技术制备出隔离区图形，湿法腐蚀去除隔离区外的金属，再氧化去除隔离区外的石墨烯；
(3)介质牺牲层生长：采用干法生长工艺，在衬底表面生长一层介质牺牲层，将石墨烯上金属表面覆盖一层介质牺牲层；
(4)源/漏电极制备：在衬底表面，采用平面光刻显影技术制备出源/漏电极图形，干法刻蚀去除生长的介质牺牲层，蒸发完成金属化，辅以溶胶剥离技术，制备出源/漏电极；
(5)自对准工艺：在衬底表面以电子束光刻显影技术制备出栅极图形，干法刻蚀去除生长的介质牺牲层，以湿法腐蚀技术将连接源/漏电极的金属从栅级图形下断开，实现自对准；
(6)栅电极制备：采用ALD方法生长高K栅介质，蒸发完成金属化，辅以溶胶剥离技术，制备出栅电极，完成石墨烯场效应晶体管制备。
2.根据权利要求1所述的采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述石墨烯表面蒸发金属为能被腐蚀溶解的金属。
3.根据权利要求2所述的采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法，其特征在于，所述石墨烯表面蒸发金属选用Au,或Cu,或Pd，蒸发金属厚度为30-100nm。
4.根据权利要求1所述的采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法，其特征在于，所述步骤(3)中，所述介质牺牲层为氧化硅或氮化硅，厚度为30-100nm。
5.根据权利要求1所述的采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法，其特征在于，所述步骤(5)中，所述栅极线宽为20-500nm。
6.根据权利要求1所述的采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法，其特征在于，所述步骤(6)中，所述高K栅介质的厚度为5-20nm。
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