[发明专利]一种高电源抑制比的线性稳压器与大电流低噪声放大器在审
申请号: | 202110229601.X | 申请日: | 2021-03-02 |
公开(公告)号: | CN112947666A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 张明;郑宗源;张琛;焦炜杰;王新安 | 申请(专利权)人: | 江苏润石科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 重庆市诺兴专利代理事务所(普通合伙) 50239 | 代理人: | 刘兴顺 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新吴区弘毅路*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电源 抑制 线性 稳压器 电流 低噪声放大器 | ||
1.一种高电源抑制比的线性稳压器,包括基准电路、预稳压电路、误差放大电路、功率调整电路、反馈电路以及保护电路;
其特征在于:
所述基准电路包括启动电路、前置控制电路、亚阈电流产生电路、负温度系数电路、正温度系数电路;
所述预稳压电路包括第一放大网络、第二电阻网络以及第三放大网络;所述基准电路的输出作为所述预稳压电路的所述第一放大网络的输入;
所述预稳压电路的所述第三放大网络的输出作为所述误差放大电路的输入;
所述误差放大电路连接至所述功率调整电路,所述功率调整电路通过分压电阻网络连接至所述反馈电路;
所述保护电路与所述预稳压电路、所述误差放大电路连接;
所述线性稳压器通过所述分压电阻网络与输出负载连接。
2.如权利要求1所述的一种高电源抑制比的线性稳压器,其特征在于:
所述基准电路的所述启动电路的输出端连接所述亚阈电流产生电路;
所述前置控制电路产生第一前置控制信号和第二前置控制信号;
所述第一前置控制信号发送至所述启动电路的输出端,与所述启动电路的输出信号加权后,作为所述亚阈电流产生电路和所述正温度系数电路的输入;
所述亚阈电流产生电路的输出端分别连接至所述负温度系数电路和正温度系数电路;
所述第二前置控制信号发送至所述亚阈电流产生电路的输出端,与所述亚阈电流产生电路的输出信号加权后,作为所述负温度系数电路的输入;
所述负温度系数电路和正温度系数电路各自的输出信号经加权电路处理后,作为所述基准电路的输出。
3.如权利要求1或2所述的一种高电源抑制比的线性稳压器,其特征在于:
所述预稳压电路的所述第一放大网络包括共栅极连接的MOS管M1和M2以及共源极连接的MOS管M3和M4以及漏极与所述MOS管M1和M2的共栅极连接的MOS管M0;
其中,所述MOS管M1的漏极与所述MOS管M3的漏极连接;所述MOS管M2的漏极与所述MOS管M4的漏极连接;
所述MOS管M1、M2、M0的源极共一个端点,所述端点作为所述预稳压电路的输入端;所述第一放大网络通过所述MOS管M0的栅极连接至所述第二电阻网络。
4.如权利要求1或2所述的一种高电源抑制比的线性稳压器,其特征在于:
所述预稳压电路的所述第三放大网络包括共栅共源连接的MOS管P2、P3、P4以及栅极与所述MOS管P3的漏极连接的MOS管P1;
所述第三放大网络通过所述MOS管P3的漏极以及所述MOS管P1的栅极连接至所述第二电阻网络;
所述MOS管P1和P3的漏极共一个端点,所述端点作为所述预稳压电路的输出端。
5.如权利要求1或2所述的一种高电源抑制比的线性稳压器,其特征在于:
所述误差放大电路包括第一级放大电路、第二级放大电路以及第三电流镜;
所述第一级放大电路与所述第三电流镜连接,并通过所述第三电流镜连接至所述第二级放大电路;
所述第一级放大电路包括第一输入端、第二输入端和第三输出端;
所述第二级放大电路包括第四输入端、第五输入端和第六输出端;
所述第三电流镜与所述第二输入端、所述第三输出端以及所述第四输入端连接。
6.如权利要求5所述的一种高电源抑制比的线性稳压器,其特征在于:
所述第一级放大电路包括第一放大器和至少一个NMOS管NM0;
所述第二级放大电路包括第二放大器和第三放大器以及电阻R3;
所述第二放大器与所述第三放大器串联;
所述电阻R3连接所述第二放大器的输入端和所述第三放大器的输入端。
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