[发明专利]光掩模坯

权利要求书

1.一种适于制备光掩模的光掩模坯的制造方法，所述光掩膜用于20nm以下结点的光刻法，

该光掩模坯包括石英基板和在该石英基板上形成的铬系材料膜，该铬系材料膜为遮光膜并具有对应于50nm以下的翘曲量的拉伸应力或压缩应力，其中该制造方法包括如下步骤：

通过使用铬靶和惰性气体与反应气体作为溅射气体在所述反应气体与所述惰性气体的流量比为1～2的条件下进行溅射，从而在具有152mm见方尺寸和6.35mm厚度的石英基板上形成具有至少0.050/nm的在波长193nm下的每单位膜厚度的光学密度的铬系材料膜。

2.根据权利要求1的制造方法，其中该翘曲量为30nm以下。

3.根据权利要求1的制造方法，其中每单位膜厚度的光学密度为至少0.054/nm。

4.根据权利要求1的制造方法，其中该铬系材料膜具有4nm-50nm的范围内的厚度。

5.根据权利要求1的制造方法，其中该铬系材料膜含有选自氮、氧、碳和氢中的至少一种。

6.根据权利要求1的制造方法，其中该铬系材料膜为CrN膜。

7.根据权利要求6的制造方法，其中该CrN膜具有70-90原子％的铬含量和10-30原子％的氮含量。

8.根据权利要求1的制造方法，其中该铬系材料膜为单层膜。

9.根据权利要求1的制造方法，其中该铬系材料膜为多层膜。

10.根据权利要求1的制造方法，其中所述反应气体与所述惰性气体的流量比为1～1.5。

11.根据权利要求1的制造方法，其中进一步包含如下步骤：

在至少150℃的温度下对该铬系材料膜热处理至少10分钟。

12.根据权利要求11的制造方法，其中该热处理的温度为300℃以下。