[发明专利]一种含三芳胺和菲结构的化合物及其应用

说明书

本发明公开了一种含三芳胺和菲结构的化合物及其应用，属于半导体技术领域。本发明含三芳胺和菲结构的化合物结构如通式(1)所示，将其应用于有机电致发光器件，具有较强的空穴注入传输能力和适宜的能级，空穴可以有效传输并注入至发光层，可以实现有机电致发光器件的低驱动电压下的高效率发光。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种含三芳胺和菲结构的化合物及其应用。

背景技术

有机电致发光器件(OLED)中的载流子(空穴和电子)在电场的驱动下分别由器件的两个电极注入到器件中，并在有机发光层中相遇复合发光。高性能的有机电致发光器件，要求各种有机功能材料具备良好的光电特性。譬如，作为电荷传输材料，要求具有良好的载流子迁移率。现有的有机电致发光器件中使用的空穴注入层材料以及空穴传输层材料的注入和传输特性相对较弱，空穴注入和传输速率与电子注入和传输速率不匹配，导致复合区域偏移较大，不利于器件的稳定性。另外，空穴注入层材料和空穴传输层材料合理的能级匹配是提高器件效率和器件寿命的重要因素，因此如何调节空穴和电子的平衡度、调节复合区域，一直是本领域的一项重要课题。

蓝色有机电致发光器件一直是全色OLED发展中的软肋，截止目前蓝光器件的效率和寿命等性能一直难以得到全面提高，因此，如何提高该类器件性能仍然是该领域面临的至关重要的问题和挑战。目前市场上所使用的蓝光主体材料多为偏电子性主体，因此为了调节发光层的载流子平衡，需要空穴传输材料具有优异的空穴传输性能。空穴注入和传输越好，调节复合区域会向远离电子阻挡层侧偏移，从而远离界面发光，使得器件性能提高，寿命增加。因此要求空穴传输区域材料具有高空穴注入性、高空穴迁移率、高电子阻挡性和高电子耐候性。

空穴传输材料因为具有较厚的膜厚，因此材料的耐热性和非晶性会对器件的寿命产生至关重要的影响。耐热性较差的材料在蒸镀过程中易发生分解，污染蒸镀腔体且损坏器件寿命；膜相态稳定性较差的材料，在器件使用过程中会发生结晶，降低器件使用寿命。因此，要求空穴传输材料在使用过程中具有较高的膜相态稳定性和分解温度。但是，对用于有机电致发光器件的稳定且有效的有机材料层的材料的开发尚未充分实现。因此，需要不断开发一种新的材料以更好地适用于有机电致发光器件的性能需求。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本发明申请人提供了一种含三芳胺和菲结构的化合物及其应用。本发明化合物含有菲基和三芳胺结构，具有优异的空穴传输能力、膜相态稳定性和耐候性。通过使用三芳胺和菲类化合物来形成有机电致发光器件的空穴注入和传输材料时，可显示出器件性能的提高，例如器件效率提升、驱动电压降低和寿命延长等效果。

本发明的技术方案如下：

一种含三芳胺和菲结构的化合物，所述化合物的结构如通式(1)所示：

通式(1)中，L、L₁、L₂分别独立的表示为单键、亚苯基、亚萘基、亚联苯基、亚呋喃基、亚苯并呋喃基或亚二苯并呋喃基；

R₁、R₂分别独立的表示为取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的含有一个或多个杂原子的5至30元杂芳基中的一种；

R表示为苯基、萘基、联苯基、呋喃基、苯并呋喃基或二苯并呋喃基；

用于取代基团的取代基任选自氘、氚、C_1-10的烷基、C₆-C₃₀芳基、含有一个或多个杂原子的5至30元杂芳基中的一种或多种；

所述杂原子为氧、硫或氮原子。