[发明专利]微发光元件、微发光二极管及其转印方法

权利要求书

1.微发光元件，包括：

若干个微发光二极管，其中每个微发光二极管独立耦合发光，若干个大于等于1；

基架，设置为支撑微发光二极管，基架包括容置微发光二极管的凹槽；

桥臂，用于连接微发光二极管和基架；

其特征在于：在微发光二极管远离凹槽的上表面具有凸起，桥臂位于凸起和凹槽之间。

2.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：凸起高于桥臂，且凸起的高度为0.5μm到1μm、1μm到3μm或3μm到5μm。

3.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：凸起与微发光二极管为相互独立的结构。

4.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：微发光二极管包括半导体外延层，凸起与微发光二极管为一体结构，凸起的材料至少与半导体外延层的其中一种成分相同。

5.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：凸起的材料包括半导体外延层、波长转换材料、透明绝缘材料或其中任意种组合。

6.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：凸起的材料包括N型半导体、多量子阱、P型半导体、二氧化硅、氮化硅、硅胶、树脂、紫外胶、二氧化钛或其中任意种组合。

7.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：微发光元件中具有矩阵排布的微发光二极管。

8.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：微发光二极管具有从2μm到5μm、 从5μm到10μm、从10μm到20μm、从20μm到50μm或从50μm到100μm的宽度，或者微发光二极管具有从2μm到5μm、 从5μm到10μm、从10μm到20μm、从20μm到50μm或从50μm到100μm的长度。

9.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：桥臂的材料为介电质、金属或者半导体材料。

10.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：微发光二极管下表面具有第一电极和第二电极。

11.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：微发光二极管通过印刷印模转印与基架分离。

12.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：微发光元件具有不同高度的凸起，不同高度的凸起下方为不同的发光二极管，不同的发光二极管具有不同的形状、不同的波长、不同的亮度或者不同的色温。

13.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：凸起的形状为方台、筒状、圆台或者圆柱。

14.根据权利要求1所述的微发光元件，其特征在于：至少部分凸起位于桥臂上。

15.微发光二极管，至少具有半导体外延层和桥臂，其特征在于：还包括凸起，至少部分凸起位于桥臂上。

16.根据权利要求15所述的微发光二极管，其特征在于：凸起的高度为0.5μm到1μm、1μm到3μm或3μm到5μm。

17.根据权利要求15所述的微发光二极管，其特征在于：凸起与微发光二极管为一体结构，凸起的材料至少与半导体外延层的其中一种成分相同。

18.根据权利要求15所述的微发光二极管，其特征在于：凸起的材料包括半导体外延层、波长转换材料、透明绝缘材料或其中任意种组合。

19.根据权利要求15所述的微发光二极管，其特征在于：凸起的形状为方台、筒状、圆台或者圆柱。

20.根据权利要求15所述的微发光二极管，其特征在于：桥臂为断裂脱离后的部分结构。