[发明专利]一种块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法及装置

权利要求书

1.一种块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法，其特征在于，包括：

确定SRAM型FPGA中可配置逻辑单元和块存储器内各模块的存储资源数据、对应的刷新周期以及对应的单位数据翻转率；其中，所述存储资源数据包含第一类存储资源数据、第二类存储资源数据以及第三类存储资源数据；

基于所述第一类存储资源数据、所述刷新周期、所述单位数据翻转率以及预设的第一块存储器错误率算法模型，得到所述块存储器部位错误导致的错误率；

基于所述第二类存储资源数据、所述刷新周期、所述单位数据翻转率以及预设的第二块存储器错误率算法模型，得到所述自刷新器错误导致的错误率；

基于所述第三类存储资源数据、所述刷新周期、所述单位数据翻转率以及预设的第三块存储器错误率算法模型，得到所述表决器错误导致的错误率；

基于所述块存储器部位错误导致的错误率、所述自刷新器错误导致的错误率以及所述表决器错误导致的错误率，得到块存储器错误率定量评估结果。

2.根据权利要求1所述的块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法，其特征在于，所述第一类存储资源数据为所述块存储器中块存储器模块所用的存储资源数据；所述第二类存储资源数据为所述可配置逻辑单元中比较器模块、地址发生器模块、地址使能器模块所用的存储资源数据；所述自刷新器包括所述比较器模块、所述地址发生器模块以及所述地址使能器模块；所述第三类存储资源数据为所述可配置逻辑单元中数据表决器所用的存储资源数据。

3.根据权利要求1所述的块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法，其特征在于，所述第一块存储器错误率算法模型对应的算法表达式为：

其中，λ_c为可配置逻辑单元对应的单位数据翻转率；λ_b为块存储器对应的单位数据翻转率；t_c可配置逻辑单元对应的刷新周期；t_b块存储器对应的刷新周期；M_b为块存储器模块所用的存储资源数据。

4.根据权利要求1所述的块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法，其特征在于，所述第二块存储器错误率算法模型对应的算法表达式为：

M_cac＝M_com+M_Add+M_CEN

其中，λ_c为可配置逻辑单元对应的单位数据翻转率；λ_b为块存储器对应的单位数据翻转率；t_c可配置逻辑单元对应的刷新周期；t_b块存储器对应的刷新周期；M_com为比较器模块所用的存储资源数据；M_Add为地址发生器模块所用的存储资源数据；M_CEN为地址使能器模块所用的存储资源数据；M_cac为自刷新器所用的存储资源数据。

5.根据权利要求1所述的块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法，其特征在于，所述第三块存储器错误率算法模型对应的算法表达式为：

其中，入_c为可配置逻辑单元对应的单位数据翻转率；λ_b为块存储器对应的单位数据翻转率；t_c可配置逻辑单元对应的刷新周期；t_b块存储器对应的刷新周期；M_VD为数据表决器模块所用的存储资源数据。

6.根据权利要求1所述的块存储器单粒子翻转防护设计定量评估方法，其特征在于，在同一存储单元的三路中同时出现两路错误的单粒子防护效能情况下，分别获取不同模块错误导致的错误率。