[发明专利]有源矩阵基板和显示装置有效
| 申请号： | 202110227439.8 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113345914B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 菊池哲郞;大东彻;铃木正彦;西宫节治;原健吾;高畑仁志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H10K59/12;H10K59/123 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 叶乙梅 |
| 地址： | 日本国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有源 矩阵 显示装置 | ||
1.一种有源矩阵基板，其具有呈矩阵状排列的多个像素区域，其包括：
基板；
像素TFT，其由所述基板支承，并与所述多个像素区域的每一个像素区域对应设置；以及
像素电极，其配置于所述多个像素区域的每一个像素区域，并与所述像素TFT电连接，
所述有源矩阵基板的特征在于，
所述像素TFT为顶栅结构TFT，所述顶栅结构TFT具有氧化物半导体层、设置在所述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层和以隔着所述栅极绝缘层与所述氧化物半导体层相对的方式配置的栅极，
所述栅极绝缘层由氧化硅形成，
所述栅极绝缘层包括与所述氧化物半导体层接触的下层和位于所述下层之上的上层，
将所述下层所含的氢相对于氮的原子数比称为下层H/N比，将所述上层所含的氢相对于氮的原子数比称为上层H/N比时，
所述下层H/N比为1.5以上且5.0以下，所述上层H/N比为0.9以上且2.0以下，所述下层H/N比大于所述上层H/N比。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述下层H/N比为1.5以上且2.5以下。
3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述上层H/N比为0.9以上且1.3以下。
4.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O系半导体。
5.根据权利要求4所述的有源矩阵基板，其特征在于，所述In-Ga-Zn-O系半导体包含结晶质部分。
6.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至5中任一项所述的有源矩阵基板。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为液晶显示装置，所述液晶显示装置具备：
相对基板，其被配置为与所述有源矩阵基板相对；以及
液晶层，其设置于所述有源矩阵基板与所述相对基板之间。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置是有机EL显示装置，所述有机EL显示装置具备设置在所述像素电极上的有机EL层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社，未经夏普株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110227439.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
