[发明专利]一种具有纳米多级结构的金属Cr涂层及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110227118.8 申请日: 2021-03-01
公开(公告)号: CN113088904B 公开(公告)日: 2022-02-11
发明(设计)人: 王亚强;肖珣;张金钰;吴凯;刘刚;孙军 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 范巍
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 具有 纳米 多级 结构 金属 cr 涂层 及其 制备 方法
【说明书】:

发明公开了一种具有纳米多级结构的金属Cr涂层及其制备方法,通过磁控溅射在洁净的硅基体上沉积制备具有纳米多级结构的金属Cr涂层,其原理是Ar气经辉光放电后产生高密度Ar+,Ar+在电场的作用下被强烈吸引到负电极并以高速率轰击两个金属Cr直流靶,形成碰撞级联过程溅射出靶原子和二次电子,Cr原子最终反向运动至阳极的硅基体上沉积,而二次电子在正交电磁场的运动方向与电场、磁场垂直,以旋轮线的形式循环运动,提高了Ar的电离率,增加了离子密度和能量,从而实现高速率溅射。最终本发明在不同的沉积气压下制备出具有纳米多级结构的金属Cr涂层。

技术领域

本发明属于材料表面改性领域,具体涉及一种具有纳米多级结构的金属Cr涂层及其制备方法。

背景技术

金属Cr涂层具有良好的耐腐蚀性、较高的熔点以及优异的力学强度和耐磨性,同时具有良好的化学惰性、高温氧化性能以及衬底附着力。目前已有多种制备方法用于沉积金属Cr涂层,其中磁控溅射法因其能量低、沉积速率可控、工艺重复性好,是一种比较成熟的涂层制备技术。磁控溅射所制备的金属Cr涂层通常表现为柱状晶的生长形貌,柱状晶的连续性晶界是一种缺陷,其在外力作用下容易造成涂层的开裂和剥落,因而柱状晶的持续生长不利于金属Cr涂层性能的改善。

涂层制备技术和工艺参数的改变会显著影响金属Cr涂层沉积生长过程中的表面扩散能力和体扩散能力,进而决定金属Cr涂层的微观组织结构,从而改善和提高涂层的质量和性能。为了能够在高温氧化等极端环境中提供有效的防护,金属Cr涂层必须具备均匀致密的微观组织以及优异的性能,这就依赖于金属Cr涂层所采用的制备技术和工艺参数。如何选择适当的磁控溅射工艺参数,通过调控涂层的微观组织结构,制备出性能优异的金属Cr涂层是当前研究的重点。

发明内容

针对现有技术中金属Cr涂层在外力作用下容易造成涂层的开裂和剥落的问题,本发明提供一种具有纳米多级结构的金属Cr涂层及其制备方法,实现金属Cr涂层微观组织的调控,增强高涂层的附着力。

本发明是通过以下技术方案来实现:

一种具有纳米多级结构的金属Cr涂层,所述金属Cr涂层的晶粒形貌为柱状晶,且柱状晶表面为具有多级微纳尺度的杨桃状结构,厚度为3.92μm-4.80μm。

优选的,所述金属Cr涂层的晶粒尺寸为180~315nm。

一种具有纳米多级结构的金属Cr涂层的制备方法,在真空环境下,对洁净的基体进行刻蚀,然后采用两个金属Cr靶对刻蚀后的硅基体进行直流磁控溅射,溅射沉积后随炉冷却至室温,得到具有纳米多级结构的金属Cr涂层;

沉积功率均为200W,沉积气压为0.5-1.5Pa,沉积过程中氩气流速设定为40-90sccm。

优选的,所述真空度在1.0×10-4Pa以下。

优选的,所述刻蚀的功率为200W,刻蚀气压为1.0Pa,刻蚀时间为5min。

优选的,对基体刻蚀后进行预溅射,先通入氩气,通气时间至少为30s,预溅射时间至少为10s。

优选的,所述磁控溅射沉积过程中硅基体转速为10r/min。

优选的,所述磁控溅射沉积时间均为15000s。

优选的,将抛光后的硅基体在丙酮和无水乙醇中分别超声清洗10min后并烘干,以去除基体表面的杂质,得到结晶的基体。

优选的,所述基体为硅基体。

与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:

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