[发明专利]离子注入区的形成方法

权利要求书

1.一种离子注入区的形成方法，其特征在于，包括步骤：

步骤一、进行离子注入区的形成区域的定义，包括如下分步骤：

步骤11、在需要形成离子注入区的下层结构表面依次形成ODL层、SHB层和PR层；

步骤12、采用光刻工艺对所述PR层进行图形化，图形化后的所述PR层将所述离子注入区的形成区域打开以及将所述离子注入区的形成区域外覆盖；

步骤13、以图形化后的所述PR层为掩膜对所述SHB层进行刻蚀从而将所述PR层的图形转移到所述SHB层上；

步骤14、去除所述PR层，以所述SHB层为掩膜对所述ODL层进行刻蚀将所述SHB层的图形转移到所述ODL层上，所述离子注入区的形成区域的所述ODL层全部被去除；

步骤二、以图形化后的所述ODL层和所述SHB层的叠加层为掩膜进行离子注入在所述下层结构中形成所述离子注入区；

步骤三、去除所述SHB层和所述ODL层。

2.如权利要求1所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：步骤11中所述ODL层采用第一碳涂层。

3.如权利要求2所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：所述SHB层采用硅底部抗反射涂层。

4.如权利要求3所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：所述ODL层、所述SHB层和所述PR层都采用涂布工艺形成。

5.如权利要求1所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：所述离子注入区包括NAND闪存的输入输出器件的源漏注入区。

6.如权利要求5所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：所述下层结构包括半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成有所述输入输出器件的栅介质层。

7.如权利要求6所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

8.如权利要求6所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：步骤二中，所述离子注入穿过所述栅介质层使所述离子注入区形成于所述半导体衬底中。

9.如权利要求6所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：所述栅介质层包括栅氧化层。

10.如权利要求6所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：所述输入输出器件的源漏注入区的关键尺寸的最小值达88nm以下。

11.如权利要求10所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：步骤12中，图形化后所述PR层的打开区域的开口的关键尺寸等于所述输入输出器件的源漏注入区的关键尺寸；

步骤14完成后，图形化后的所述ODL层和所述SHB层的叠加层的打开区域的开口的关键尺寸保持为图形化后所述PR层的打开区域的开口的关键尺寸。

12.如权利要求1或11所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：步骤13中采用干法刻蚀对所述SHB层进行刻蚀；

步骤14中采用干法刻蚀对所述ODL层进行刻蚀。

13.如权利要求1所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：步骤三包括如下分步骤：

步骤31、进行第二碳涂层的涂布将图形化后的所述ODL层和所述SHB层的叠加层的打开区域的开口完全填充并延伸到开口外的所述SHB层的表面；

步骤32、进行所述第二碳涂层的回刻将开口外的所述SHB层表面的所述第二碳涂层完全去除以及将开口区域内的所述第二碳涂层减薄到顶部表面低于所述SHB层的底部表面；

步骤33、去除所述SHB层，同时以所述第二碳涂层保护所述离子注入区不受影响；

步骤34、去除所述第二碳涂层和所述ODL层。

14.如权利要求6所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：所述输入输出器件位于所述NAND闪存的存储阵列的外围。

15.如权利要求6所述的离子注入区的形成方法，其特征在于：所述输入输出器件的源漏注入区的掺杂类型为N型。