[发明专利]一种用于铝合金表面的复合膜层及其制备方法

权利要求书

1.一种用于铝合金表面的复合膜层，其特征在于：包括依次覆盖于合金（1）表面的Cr层（2）、CrWC层（3）、WC层（4）以及DLC层（5）；所述Cr层（2）的厚度为2-3μm或4μm，所述用于铝合金表面的复合膜层的总厚度为4μm 或5-6μm。

2.一种如权利要求1所述的用于铝合金表面的复合膜层的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

步骤1，清洗铝合金（1），并将清洗后的铝合金（1）放入真空镀膜室中加热、抽真空；

步骤2，往真空镀膜室中通入氩气，并对铝合金（1）表面进行离子清洗；

步骤3，开启Cr靶，采用磁控溅射法在铝合金表面沉积Cr层（2）；

步骤4，通入乙炔，开启WC靶，采用磁控溅射法在Cr层（2）表面沉积CrWC层（3）；

步骤5，关闭Cr靶，采用磁控溅射法在CrWC层（3）表面沉积WC层（4）；

步骤6，关闭WC靶，采用PECVD在WC层（4）表面沉积DLC层（5）。

3.根据权利要求2所述的用于铝合金表面的复合膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤3中，通入氩气，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-100）-（-120）V，Cr靶的电流设定为50-60A，Cr层（2）的沉积时间为120-150min。

4.根据权利要求2所述的用于铝合金表面的复合膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤4中，通入乙炔，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-100）-（-120）V，开启WC靶，Cr靶的电流设定为35-40A，WC靶的电流设定为16-20A，CrWC层（3）的沉积时间为30-40min。

5.根据权利要求2所述的用于铝合金表面的复合膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤5中，通入乙炔，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-100）-（-120）V，关闭Cr靶，WC靶的电流设定为16-20A，WC层（4）的沉积时间为50-60min。

6.根据权利要求2所述的用于铝合金表面的复合膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤6中，通入乙炔以及氩气，并控制气压为0.6-0.8Pa，偏压设定为1100-1200V，DLC层（5）的沉积时间为180-210min。

7.根据权利要求2所述的用于铝合金表面的复合膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤3中，通入氩气，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-100）-（-120）V，Cr靶的电流设定为50-60A，Cr层（2）的沉积时间为120-150min；

所述步骤4中，通入乙炔，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-100）-（-120）V，开启WC靶，Cr靶的电流设定为35-40A，WC靶的电流设定为16-20A，CrWC层（3）的沉积时间为30-40min；

所述步骤5中，通入乙炔，控制气压为0.3-0.4Pa，偏压设定为（-100）-（-120）V，关闭Cr靶，WC靶的电流设定为16-20A，WC层（4）的沉积时间为50-60min；

所述步骤6中，通入乙炔以及氩气，并控制气压为0.6-0.8Pa，偏压设定为1100-1200V，DLC层（5）的沉积时间为180-210min。

8.根据权利要求2所述的用于铝合金表面的复合膜层的制备方法，其特征在于：所述步骤2中，当真空镀膜室中的真空度达5×10^-3-7×10^-3Pa时，通入氩气，使气压达到0.1-0.2Pa，偏压设定为（-300）-（-400）V，离子清洗60-100s。

9.一种覆盖有复合膜层的铝合金，其特征在于：采用如权利要求3-8任一所述用于铝合金表面的复合膜层的制备方法制备所得。