[发明专利]芯片上片方法在审
| 申请号： | 202110225370.5 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113035720A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 邵滋人;钱杰;李荣 | 申请（专利权）人： | 紫光宏茂微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海得民颂知识产权代理有限公司 31379 | 代理人： | 陈开山 |
| 地址： | 201799 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 上片 方法 | ||
1.一种芯片上片方法，所述芯片包括：金属层和硅片层，其特征在于，包括以下步骤：
S100、对晶圆进行切割得到多个芯片；
S200、在得到的多个芯片的金属层面粘贴保护膜；
S300、撕除多个芯片的硅片层面的胶膜；
S400、抓取移动机构抓取芯片的硅片层面，并使芯片从保护膜上分离；
S500、抓取移动机构抓取与保护膜分离的芯片的金属层面；
S600、使芯片的硅片层面贴附到基板上，完成芯片上片。
2.根据权利要求1所述的芯片上片方法，其特征在于，在步骤S200中，所述保护膜为UV膜。
3.根据权利要求2所述的芯片上片方法，其特征在于，在步骤S300和步骤S400之间，还包括以下步骤：
S401、通过紫外线照射解除UV膜的粘性。
4.根据权利要求3所述的芯片上片方法，其特征在于，步骤S400具体包括：利用抓取移动机构的第一吸嘴吸抓芯片的硅片层面，使芯片从UV膜上脱离。
5.根据权利要求4所述的芯片上片方法，其特征在于，步骤S400还包括以下步骤：
S410、抓取移动机构的第一吸嘴带动与UV膜脱离的芯片翻转90°。
6.根据权利要求5所述的芯片上片方法，其特征在于，步骤S500具体包括：利用抓取移动机构的第二吸嘴吸抓与UV膜分离的芯片的金属层面。
7.根据权利要求6所述的芯片上片方法，其特征在于，步骤S500还包括以下步骤：
S510、抓取移动机构的第二吸嘴带动芯片翻转90°。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
