[发明专利]一种改进的草酸铟溶解剂组合物及蚀刻设备清洗工艺有效
| 申请号: | 202110224947.0 | 申请日: | 2021-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN113025333B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
| 发明(设计)人: | 邵勇;徐杨;朱永刚;顾维忠;彭聪;胡生望 | 申请(专利权)人: | 四川江化微电子材料有限公司 |
| 主分类号: | C09K13/06 | 分类号: | C09K13/06;H01L21/306 |
| 代理公司: | 无锡坚恒专利代理事务所(普通合伙) 32348 | 代理人: | 杜兴 |
| 地址: | 620860 四川省眉*** | 国省代码: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改进 草酸 溶解 组合 蚀刻 设备 清洗 工艺 | ||
本发明公开了一种改进的草酸铟溶解剂组合物,主要组分为碱性组分、螯合剂、pH值调节剂和水,螯合剂主要组成为螯合剂A和螯合剂B,螯合剂A为选自氨基多羧酸及其盐中的至少一种,螯合剂B为羟基多羧酸及其盐中的至少一种,改进的草酸铟溶解剂组合物的pH值为9.5~10.5。本发明改进的草酸铟溶解剂组合物采用复配螯合剂体系,利用两种螯合剂在草酸铟溶解剂组合物体系下具有协同的螯合性能,增加草酸铟的溶解度并且提高溶解速率。本发明还公开了一种基于草酸铟溶解剂组合物的蚀刻设备清洗工艺。
技术领域
本发明涉及电子化学品技术领域,具体涉及一种改进的草酸铟溶解剂组合物及蚀刻设备清洗工艺。
背景技术
草酸型蚀刻液与ITO膜的作用机理是通过草酸的螯合效应,将ITO、IZO的主要成分铟络合形成草酸铟从而进行溶解蚀刻。上述蚀刻液的长期连续使用,会导致草酸铟不能完全溶解在蚀刻液中并沉积在湿法蚀刻的装置内,具体的草酸铟结晶会沉积到配管、阀门、过滤器、泵、喷嘴、基板转移辊、蚀刻机台、缓冲液罐内壁等位置,沉积草酸铟的装置会影响后续蚀刻效果。
CN101876076A公开了一种改进的草酸铟溶解剂组合物及其清洗方法,组合物中包含碱性成分以及从氨基多羧酸及其盐中选择的1种或2种以上的水溶液。溶解剂组合物的pH为9~11,组合物中组分的优选含量为从氨基多羧酸中选择的化合物的浓度为1~20重量%;从氨基多羧酸胺盐组成的群中选择的化合物的浓度为1~20重量%,氨基多羧酸是从乙二胺二乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、三乙烯四胺六乙酸、反式-1,2-环己烷二胺四乙酸中选择的;氨基多羧酸的盐为乙二胺二乙酸、乙二胺四乙酸、二乙烯三胺五乙酸、三乙烯四胺六乙酸、反式-1,2-环己烷二胺四乙酸的胺盐;碱性成分为氨、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化四甲基铵的任意一种。CN101876076A的具体实施方式部分记载,基于相同的碱性物质组成,乙二胺四乙酸的浓度越大,草酸铟的溶解量越大,其中乙二胺四乙酸的含量达10%、氨5%、pH值为10.7时,40℃下搅拌4小时,草酸铟的溶解量达5.7%。即pH值达到10-11附近的氨浓度5~10重量%范围内,草酸铟溶解量显示出最大值。
进一步的,CN109234072A中公开了通过在溶解体系中加入氯离子加速溶解草酸铟的技术方案,但是氯离子的加入容易造成设备的卤素污染,影响后期铜制程或者铝制程工艺蚀刻。如何提高溶解量和溶解速率,是本领域技术人员需要攻克的技术问题之一。
发明内容
本发明的目的之一在于克服现有技术中存在的缺陷,提供一种改进的草酸铟溶解剂组合物,上述组分中采用复配的螯合剂,提高草酸铟的溶解速度和溶解量。
为实现上述目的,本发明的技术方案为:一种改进的草酸铟溶解剂组合物,主要组分为碱性组分、螯合剂、pH值调节剂和水,所述螯合剂主要组成为螯合剂A和螯合剂B,所述螯合剂A为选自氨基多羧酸及其盐中的至少一种,所述螯合剂B为羟基多羧酸及其盐中的至少一种,所述改进的草酸铟溶解剂组合物的pH值为9.5~10.5。
优选的技术方案为,所述碱性组分为季铵碱、氨水和弱酸铵盐中的一种或两种以上的组合。
优选的技术方案为,所述螯合剂A为选自氨基多羧酸中的至少一种,所述螯合剂B为羟基多羧酸中的至少一种。
优选的技术方案为,所述氨基多羧酸包括乙二胺四乙酸、亚氨基二琥珀酸、二乙基三胺五乙酸、氮川三乙酸;和/或所述羟基多羧酸包括柠檬酸、羟基柠檬酸、酒石酸、苹果酸。
优选的技术方案为,以草酸铟溶解剂组合物的重量为100%计,所述碱性组分的重量百分比为3~15%,所述螯合剂的重量百分比为3~15%,所述螯合剂A的重量百分比不小于螯合剂B的重量百分比。
优选的技术方案为,以草酸铟溶解剂组合物的重量为100%计,,所述螯合剂A的重量百分比为3~7%,所述螯合剂B的重量百分比为3~7%。更优选的,螯合剂A的重量百分比为4~6%,所述螯合剂B的重量百分比为4~6%。
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