[发明专利]一种低功耗热光器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110224733.3 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113176674A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 杨妍;唐波;孙富君;欧祥鹏;李志华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 谷波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功耗 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种低功耗热光器件，其特征在于，包括：
基底，所述基底具有光波导；
加热电极，位于所述光波导上方；
热传导部件，所述热传导部件位于所述光波导和所述加热电极之间；
其中，所述热传导部件具有导热性且不会引起光吸收，用于在所述加热电极加热过程中，将所述加热电极产生的热量传导至所述光波导，以增加所述光波导受热强度。
2.根据权利要求1所述的低功耗热光器件，其特征在于，所述热传导部件的底部与所述光波导的距离大于等于第一值，所述热传导部件的顶部与所述加热电极的距离小于等于第二值。
3.根据权利要求1所述的低功耗热光器件，其特征在于，所述热传导部件在所述基底上的投影和所述加热电极在所述基底上的投影形状相同。
4.根据权利要求1所述的低功耗热光器件，其特征在于，所述热传导部件的制作材料为参杂多晶硅。
5.根据权利要求1所述的低功耗热光器件，其特征在于，所述基底还包括：硅衬底，以及在所述硅衬底上的埋氧层，所述光波导位于所述埋氧层上。
6.根据权利要求1所述的低功耗热光器件，其特征在于，所述光器件结构还包括：在所述基底上形成的介质层，所述光波导、所述热传导部件和所述加热电极位于所述介质层内。
7.根据权利要求6所述的低功耗热光器件，其特征在于，所述介质层的制作材料为二氧化硅。
8.一种低功耗热光器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括：硅衬底、在所述硅衬底上形成的埋氧层、以及在所述埋氧层上形成的光波导；
在所述基底上沉积形成第一介质层；
在所述第一介质层中制作热传导部件；
在所述热传导部件上制作加热电极；
在所述加热电极上沉积形成第二介质层。
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